[发明专利]三相位单轨预充电逻辑装置

权利要求书

1.一种三相位单轨预充电逻辑装置，其特征在于，包括PMOS晶体管P1，NMOS晶体管N1，NMOS晶体管N2，NMOS晶体管N3，NMOS晶体管N4以及起到电荷存储作用的NMOS晶体管C1；PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接时钟信号CLK，漏极和NMOS晶体管N1和N4的漏极以及输出节点O公共相连接；NMOS晶体管N1栅极接输入信号I，源极接NMOS晶体管N2漏极；NMOS晶体管N2栅极接时钟信号CLK，源极与NMOS晶体管N3漏极和NMOS晶体管C1栅极公共连接；NMOS晶体管N3栅极接放电信号DCH，源极接地； NMOS晶体管N4栅极接放电信号DCH，源极接地； NMOS晶体管C1源极与漏极相连并共同接地；

预充电阶段：CLK信号为低电位，DCH信号为低电位，此时PMOS晶体管P1导通，使得输出节点O被预充电到高电位，在CLK为低电平时输入信号I为高电平，此时NMOS晶体管N1导通，使得下拉网络中的内部节点全部预充到高电位，NMOS晶体管N2关断，使的下拉网络中的内部节点上的电荷不被泄放掉，同理NMOS晶体管N3和N4关断，防止输出节点O和其余内部节点放电；

求值阶段：CLK信号为高电位，DCH信号仍为低电位，此时PMOS管P1关断，防止电源对内部节点充电，NMOS晶体管N1栅极接收输入信号I，控制N1的通断，实现INV单元的功能，当输入信号I为1时，下拉网络导通，输出0信号，而当输入信号为0时，下拉网络关断，输出保持高电位，NMOS晶体管N2导通，使得下拉网络中的电荷泄放到电容C1上，而由于NMOS晶体管N3关断，电容C1上的电荷被存储下来而不直接泄放到地上，同时NMOS晶体管N4关断，保证输出节点O上的电荷不被泄放掉；

放电阶段：CLK信号为高电位，DCH信号为高电位，此时PMOS晶体管P1关断，防止电源对内部节点充电，NMOS晶体管N4导通，使得输出节点O被下拉到低电位，同时输入信号I进NMOS晶体管N1栅极，在DCH信号为高电位时，NMOS晶体管N1关断，同时NMOS晶体管N2和N3导通，使存储在电容C1上的电荷泄放到地上，从而实现所有内部节点的放电操作。