[发明专利]纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置

说明书

本发明涉及显示领域，特别涉及纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置。所述纳米粒子包括纳米颗粒，以及连接于纳米颗粒表面的第一配体和第二配体，所述第一配体具有碱溶性，所述第二配体受热后可发生交联。所述显示基板的制备方法为：在基板上形成纳米粒子层；纳米粒子层上涂布光刻胶，前烘处理后，采用掩膜板对光刻胶进行曝光；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，暴露出的纳米粒子层溶于显影液中；进行后烘处理，所述光刻胶保留区域覆盖的纳米粒子的第二配体之间发生交联反应，固定在所述基板上；剥离光刻胶，完成纳米粒子层的图案化。所述纳米粒子可以与光刻工艺相结合，达到纳米粒子图案化的高分辨率。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置。

背景技术

量子点(Quantum Dots，QDs)，又称为纳米晶，是一种由II－VI族或III－V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立的能级结构，受激后可以发射荧光。

随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，量子点发光二极管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不断深入，QLED在显示领域的应用前景日渐光明。但是，目前QLED的生成效率还没有达到量产水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率图案化技术目前还没有取得突破。

现有技术制造图案化的类似量子点的纳米粒子时，由于纳米粒子的无机纳米粒子特性，无法通过蒸镀成膜并图案化的方法制作图案化的纳米粒子。

现有技术一般通过喷墨打印法制作图案化的纳米粒子，而采用这种方法很难达到较高的分辨率。现有技术为了提高产品的分辨率，采用光刻法制作图案化的纳米粒子，由于光刻法包括曝光过程，而曝光过程容易对纳米粒子的性能造成影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：提供一种纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置。所述纳米粒子可以与光刻工艺相结合，达到纳米粒子图案化的高分辨率。

本发明公开了一种纳米粒子，包括纳米颗粒，以及

连接于纳米粒子表面的第一配体和第二配体，

所述第一配体具有碱溶性，所述第二配体受热后可发生交联。

优选地，所述纳米粒子为量子点，所述量子点包括无机核/壳结构的纳米颗粒，所述第一配体和第二配体连接于所述无机核/壳结构纳米颗粒的表面。

优选地，所述第一配体包括羧基、酚羟基、酯基、氰基、9-芴甲氧羰基、和C1～C20的卤代烃基中的一种或多种。

优选地，所述第二配体包括烃基、炔基和环氧基中的一种或多种。

优选地，所述第一配体的摩尔数多于第二配体的摩尔数。

本发明公开了一种显示基板的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：将上述技术方案所述的纳米粒子涂布在基板上，形成纳米粒子层；

步骤2：在所述纳米粒子层上涂布正性光刻胶，前烘处理后，采用掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域；

步骤3：进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，暴露出的纳米粒子层溶于碱性显影液中，脱离所述基板后被去除；

步骤4：进行后烘处理，所述光刻胶保留区域覆盖的纳米粒子的第二配体之间发生交联反应，所述光刻胶保留区域覆盖的纳米粒子层固定在所述基板上；

步骤5：剥离所述光刻胶保留区域的光刻胶，完成纳米粒子层的图案化。

优选地，所述纳米粒子为量子点。