[发明专利]纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置有效
申请号: | 201811215851.2 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109378395B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 陈卓;梅文海 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;蔡丽 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 粒子 显示 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种纳米粒子,其特征在于,包括纳米颗粒,以及
连接于所述纳米颗粒表面的第一配体和第二配体;
所述第一配体具有碱溶性,所述第二配体受热后可发生交联;
所述第一配体包括酚羟基、酯基、氰基、9-芴甲氧羰基、和C1~C20的卤代烃基中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的纳米粒子,其特征在于,所述纳米粒子为量子点,所述量子点包括无机核/壳结构的纳米颗粒,所述第一配体和第二配体连接于所述无机核/壳结构纳米颗粒的表面。
3.根据权利要求1或2所述的纳米粒子,其特征在于,所述第二配体包括烃基、炔基和环氧基中的一种或多种。
4.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:将权利要求1~3任意一项所述的纳米粒子涂布在基板上,形成纳米粒子层;
步骤2:在所述纳米粒子层上涂布正性光刻胶,前烘处理后,采用掩膜板对所述正性光刻胶进行曝光,使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域;
步骤3:进行显影处理,光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除,暴露出的纳米粒子层溶于碱性显影液中,脱离所述基板后被去除;
步骤4:进行后烘处理,所述光刻胶保留区域覆盖的纳米粒子的第二配体之间发生交联反应,所述光刻胶保留区域覆盖的纳米粒子层固定在所述基板上;
步骤5:剥离所述光刻胶保留区域的光刻胶,完成纳米粒子层的图案化。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述纳米粒子为量子点。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,采用旋涂法、夹缝式挤压型涂布法、刮刀涂布法中的至少一种方式将所述量子点涂布在基板上。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,重复执行步骤1至步骤5,得到具有多种颜色的对应于多个发光亚像素的图案化的量子点层。
8.根据权利要求4~7任意一项所述的制备方法,其特征在于,剥离所述光刻胶保留区域的光刻胶时,采用的剥离液为极性有机溶液。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求4~8中任意一项所述方法制备的显示基板。
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