[发明专利]图像传感器

说明书

公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。

技术领域

实施方式涉及图像传感器，更具体地，涉及包括有机光电转换层的图像传感器。

背景技术

图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可以分为电荷耦合器件(CCD)型和互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CIS(CMOS图像传感器)是CMOS型图像传感器的简称。CIS具有多个二维布置的像素。每个像素包括光电二极管。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

发明内容

根据示例性实施方式，一种图像传感器可以包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板；在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区；在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极；在基板的第二表面上的绝缘结构；分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器；以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极可以包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部可以具有非平面形状。

根据示例性实施方式，一种图像传感器可以包括：具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板；在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区；在基板的第一表面上的浮置扩散区；在基板的第二表面上的光电转换层；以及在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极。贯通电极可以将光电转换层和浮置扩散区彼此电连接。贯通电极的一端部可以与第一表面相邻。贯通电极的所述端部的拐角可以位于与贯通电极的所述端部的中心的水平不同的水平。

根据示例性实施方式，一种图像传感器可以包括：具有第一光电转换区的第一像素；具有第二光电转换区的第二像素；在第一像素和第二像素上的光电转换层；以及在第一像素与第二像素之间并电连接到光电转换层的贯通电极。贯通电极可以具有第一端部和与第一端部相反的第二端部。第二端部可以与光电转换层相邻。第二端部可以具有平面形状并且第一端部具有非平面形状。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1示出显示了根据示例性实施方式的图像传感器的框图。

图2A和2B示出显示了根据示例性实施方式的图像传感器的光电转换层的操作的电路图。

图2C示出显示了根据示例性实施方式的图像传感器的光电转换层的操作的电路图。

图3示出显示了根据示例性实施方式的图像传感器的俯视图。

图4A示出沿图3的线I-I'截取的剖视图。

图4B示出沿图3的线II-II'截取的剖视图。

图5A示出图4A中的部分M的放大图，显示了根据示例性实施方式的贯通电极的示例。

图5B示出图4A中的部分M的放大图，显示了根据示例性实施方式的贯通电极的示例。

图6A示出沿图3的线I-I'截取的剖视图，显示了根据示例性实施方式的图像传感器。

图6B示出图6A中的部分M的放大图，显示了根据示例性实施方式的贯通电极的示例。

图7A至10A示出沿图3的线I-I'截取的剖视图，显示了根据示例性实施方式的制造图像传感器的方法。