[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201811215139.2 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109728013A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 金昶和;金政勋;朴商秀;李范硕;张刚;许在成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波;弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换区 图像传感器 第二表面 贯通电极 基板 第一表面 第一端部 绝缘结构 滤色器 非平面形状 光电转换层 第二端部 电连接 | ||
1.一种图像传感器,包括:
基板,具有沿第一方向彼此相反的第一表面和第二表面;
在所述基板中的第一光电转换区和第二光电转换区;
贯通电极,在所述第一光电转换区与所述第二光电转换区之间,并且沿所述第一方向延伸;
绝缘结构,在所述基板的所述第二表面上;
分别提供在所述第一光电转换区和所述第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器;以及
光电转换层,在所述绝缘结构上并且电连接到所述贯通电极,
其中所述贯通电极包括与所述第一表面相邻的第一端部和与所述第二表面相邻的第二端部,所述第一端部具有非平面形状。
2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述贯通电极的所述第一端部的拐角比所述贯通电极的所述第一端部的中心朝向所述基板的所述第一表面突出更多。
3.如权利要求2所述的图像传感器,还包括第一器件隔离层,所述第一器件隔离层在所述基板的所述第一表面处并且具有彼此相反的第一表面和第二表面,
其中所述第一器件隔离层的所述第一表面与所述基板的所述第一表面基本上共面,以及
其中沿所述第一方向,所述贯通电极的所述第一端部的所述拐角位于与所述第一器件隔离层的所述第二表面的水平不同的水平。
4.如权利要求1所述的图像传感器,还包括第二器件隔离层,所述第二器件隔离层在所述基板中并且限定第一像素和第二像素,
其中所述第一光电转换区和所述第二光电转换区分别提供在所述第一像素和所述第二像素中。
5.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述贯通电极的所述第二端部具有平面形状。
6.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
提供在所述基板的所述第一表面上的第一浮置扩散区和第二浮置扩散区;以及
转移栅极,在所述基板的所述第一表面上并且与所述第二浮置扩散区相邻,
其中所述第一浮置扩散区经由所述贯通电极电连接到所述光电转换层。
7.如权利要求6所述的图像传感器,还包括:
层间电介质层,在所述基板的所述第一表面上,并且覆盖所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区以及所述转移栅极;
底接触插塞,穿透所述层间电介质层以接触所述贯通电极的所述第一端部,所述底接触插塞的接触区与所述贯通电极的所述第一端部的所述非平面形状互补;以及
在所述底接触插塞上的布线,
其中所述布线电连接到所述第一浮置扩散区。
8.如权利要求1所述的图像传感器,还包括:
底电极,在所述绝缘结构与所述光电转换层之间;以及
顶接触插塞,穿透所述绝缘结构以接触所述贯通电极的所述第二端部,
其中所述光电转换层经由所述底电极和所述顶接触插塞电连接到所述贯通电极。
9.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述贯通电极的所述第一端部的中心朝向所述基板的所述第一表面突出。
10.如权利要求8所述的图像传感器,还包括覆盖所述光电转换层的顶表面的顶电极,
其中所述底电极和所述顶电极包括透明导电材料。
11.一种图像传感器,包括:
基板,具有彼此相反的第一表面和第二表面;
在所述基板中的第一光电转换区和第二光电转换区;
浮置扩散区,在所述基板的所述第一表面上;
光电转换层,在所述基板的所述第二表面上;以及
贯通电极,在所述第一光电转换区与所述第二光电转换区之间,其中
所述贯通电极将所述光电转换层和所述浮置扩散区彼此电连接,
所述贯通电极的第一端部与所述第一表面相邻,以及
所述贯通电极的所述第一端部的拐角位于与所述贯通电极的所述第一端部的中心的水平不同的水平。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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