[发明专利]显示面板的测试电路布局构造有效
申请号: | 201811212954.3 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109192117B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 李雪 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 测试 电路 布局 构造 | ||
1.一种显示面板的测试电路布局构造,其特征在于:所述显示面板具有一面板轮廓,所述面板轮廓内定义在一有效区域周围的一边界布局区,所述边界布局区用以设置所述测试电路布局构造,所述测试电路布局构造包括:一COF接合区、二电源导体区、一测试电路区、二测试垫区及二静电保护区,所述COF接合区的二端连通所述二电源导体区,所述二电源导体区朝向所述有效区域延伸,所述测试电路区位于所述COF接合区与所述二电源导体区之间,所述二测试垫区、所述二静电保护区分布于所述COF接合区的二侧,其中,所述二测试垫区之一测试垫区和所述二静电保护区之一静电保护区位于所述COF接合区的一侧,所述二测试垫区之另一测试垫区和所述二静电保护区之另一静电保护区位于所述COF接合区的另一侧;
其中,由所述测试垫区延伸数条走线,用以耦接所述静电保护区、所述COF接合区及所述测试电路区,所述走线的电阻率与所述电源导体区的电阻率相同,所述走线绕开同层设置的所述电源导体区,或者,所述走线与所述电源导体区绝缘地交叠。
2.如权利要求1所述的显示面板的测试电路布局构造,其特征在于:位于所述COF接合区同一侧的所述测试垫区位于所述静电保护区与所述电源导体区之间。
3.如权利要求2所述的显示面板的测试电路布局构造,其特征在于:所述COF接合区、所述测试电路区、所述测试垫区及所述静电保护区通过数个层叠且相互绝缘的金属层耦接,所述数个金属层包括一第一金属层、一第二金属层及一第三金属层,所述第三金属层的电阻率小于所述第一金属层及所述第二金属层的电阻率,所述第一金属层形成由所述测试电路区的二侧朝向所述二电源导体区延伸的数个第一区段,所述第二金属层形成由所述测试电路区的二侧朝向所述二电源导体区延伸的数个第二区段,所述COF接合区内的一布局及所述电源导体区由所述第三金属层形成,所述第三金属层还形成数个第三区段,所述数个第三区段分别由所述测试垫区横越所述静电保护区内的一布局,并转折而远离所述二电源导体区,以转折而横越所述COF接合区内的布局,并延伸至所述测试电路区与所述二电源导体区之间,以个别地耦接所述第一区段及所述第二区段。
4.如权利要求3所述的显示面板的测试电路布局构造,其特征在于:所述二静电保护区位于所述COF接合区远离所述测试电路区的一界线与所述边界布局区远离所述测试电路区的一界线之间的一间距范围内。
5.如权利要求4所述的显示面板的测试电路布局构造,其特征在于:所述第三区段在所述间距范围内转折而远离所述二电源导体区,以转折而横越所述COF接合区内的布局。
6.如权利要求1所述的显示面板的测试电路布局构造,其特征在于:位于所述COF接合区同一侧的所述静电保护区位于所述测试垫区与所述电源导体区之间。
7.如权利要求6所述的显示面板的测试电路布局构造,其特征在于:所述COF接合区、所述测试电路区、所述测试垫区及所述静电保护区通过数个层叠且相互绝缘的金属层耦接,所述数个金属层包括一第一金属层、一第二金属层及一第三金属层,所述第一金属层、所述第二金属层与所述第三金属层的电阻率相同,所述第一金属层或所述第二金属层形成数个第四区段,所述数个第四区段分别由所述测试电路区的二侧横越所述二电源导体区,而转折横越所述二静电保护区,以延伸至所述二测试垫区,所述COF接合区内的一布局及所述电源导体区由所述第三金属层形成,所述第三金属层还形成数个第五区段,所述数个第五区段分别由所述COF接合区朝向所述测试电路区延伸至所述测试电路区与所述二电源导体区之间,以个别地耦接所述第四区段。
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