[发明专利]一种OLED薄膜封装结构在审
申请号: | 201811208439.8 | 申请日: | 2018-10-17 |
公开(公告)号: | CN109461837A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 尹雪兵;曹君 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无机层 绝缘层 薄膜封装结构 薄膜封装层 显示层 有机层 侧向 有机膜层 基板 水氧 封装 剥离 入侵 覆盖 | ||
1.一种OLED薄膜封装结构,包括基板、绝缘层、显示层和薄膜封装层,其特征在于,所述绝缘层上设有第一沟槽并将所述显示层包裹于内,所述薄膜封装层包括第一无机层和第一有机层,所述第一无机层对应于所述第一沟槽向下与所述绝缘层相接,其厚度小于所述第一沟槽的深度,进而通过所述第一沟槽剩余的未被所述第一无机层所覆盖的向下深度来限制所述第一有机层的边界。
2.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化绝缘层,所述第一沟槽设在所述钝化绝缘层中。
3.如权利要求2所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第一沟槽穿过所述钝化绝缘层设在所述栅极绝缘层中。
4.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第一沟槽的宽度范围是10-100μm。
5.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第一沟槽的深度范围是0.5-2μm。
6.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述第一沟槽是由多段独立槽构成,所述独立槽的形状可以是L型槽、U型槽、弧形槽。
7.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述薄膜封装才还包括第二无机层,其覆盖在第一有机层上,并同时完全覆盖所述第一沟槽。
8.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述绝缘层上还设有第二沟槽,其将所述第一沟槽封闭于其内。
9.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述绝缘层的材料采用氮化硅。
10.如权利要求1所述的一种OLED薄膜封装结构,其特征在于,所述显示层包括平坦化层、像素定义层以及OLED层。平坦化层设置于钝化绝缘层的表面,像素定义层设置于平坦化层表面,OLED层设置于像素定义层的表面。
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