[发明专利]一种屏蔽片及其制作方法

权利要求书

1.屏蔽片的制作方法，其特征在于，将非晶纳米晶粉体、粘合剂和有机溶剂进行混合，得到第一混合体，使所述第一混合体在25～35MPa的压力下通过宽度值为100～200μm的流道，得到第一浆料；将增塑剂、流平剂和所述第一浆料进行混合，得到第二混合体，使所述第二混合体在25～35MPa的压力下通过宽度值为100～200μm的流道，得到第二浆料；将所述第二浆料进行涂覆，得到所述屏蔽片，所述流道包括依次连通的第一混合区、第二混合区和第三混合区，所述第一混合区包括第一通道，所述第二混合区包括并列设置的第二通道和第三通道，所述第二通道和第三通道之间设有锥形的剪切块，所述第三混合区包括并列设置的第四通道、第五通道、第六通道和第七通道。

2.根据权利要求1所述的屏蔽片的制作方法，其特征在于，所述非晶纳米晶粉体的材质为FeSiBCuM，M为Nb、Mo、V和Co中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的屏蔽片的制作方法，其特征在于，所述粘合剂为亚克力树脂或PVB树脂。

4.根据权利要求1所述的屏蔽片的制作方法，其特征在于，所述流平剂为聚酯类流平剂。

5.根据权利要求1所述的屏蔽片的制作方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯类溶剂、醋酸酯类溶剂和醇类溶剂中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的屏蔽片的制作方法，其特征在于，所述屏蔽片的厚度值小于或等于300μm，宽度值小于或等于300mm。

7.根据权利要求1所述的屏蔽片的制作方法，其特征在于，将非晶纳米晶合金依次进行熔融、气雾化制粉和过筛处理，得到第一粉体；对所述第一粉体进行晶化处理，得到所述非晶纳米晶粉体，所述晶化处理的温度为500～600℃，时间为0.5～3h。

8.根据权利要求1所述的屏蔽片的制作方法，其特征在于，还包括对所述屏蔽片依次进行覆膜和模切处理。