[发明专利]晶圆处理装置在审
申请号: | 201811202728.7 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109326542A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 朱小凡;赵黎 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F16C33/58 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接结构 轴承 晶圆处理装置 半导体制造技术 嵌套 处理装置 第二表面 第一表面 基座接触 使用寿命 轴承接触 晶圆 种晶 磨损 匹配 承载 | ||
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括用于承载晶圆的基座以及嵌套于所述基座中的轴承;所述基座与所述轴承接触的第一表面具有第一连接结构,所述轴承与所述基座接触的第二表面具有与所述第一连接结构匹配的第二连接结构;所述基座与所述轴承通过所述第一连接结构与所述第二连接结构的卡合实现固定连接。本发明防止了所述轴承对所述基座造成不可逆转的磨损的问题,提高了基座的使用寿命。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置。
背景技术
随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展,芯片的高性能、集成化趋势明显,促使芯片制造企业积极采用先进工艺,对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺,因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升,带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平,通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性,以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高,以迎合市场需求。然而,这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。
随着半导体技术的发展,晶圆处理装置中的机械部件的自动化控制高度整合,由电机-轴承-运动部件构成的机械结构在半导体设备中得到了更为广泛的使用。轴承通常安装在用于承载晶圆的基座中,在轴承的使用中,由于受到所处环境因素的影响,例如湿法清洗机台中的轴承不可逆转的遭受不同程度的化学酸雾的腐蚀,造成轴承失效,最终导致轴承内部阻力增大,甚至是抱死的出现。
轴承的失效会使得转轴的扭转力矩作用在轴承与基座之间的摩擦力上,导致电机长时间超载工作,大大缩短了电机的使用寿命。另外,轴承的失效还会逐渐导致轴承与基座之间的相对运动,造成基座运动中心的偏移或者基座的抖动,导致化学药品的飞溅,影响半导体制程的稳定进行,严重时甚至会导致晶圆破片的发生。
因此,如何减少因轴承失效而导致的基座磨损问题,提高基座的使用寿命,确保半导体制程持续、稳定的进行,是目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种晶圆处理装置,用于解决现有的晶圆处理装置中易因轴承失效而导致基座磨损的问题,以提高基座的使用寿命,确保半导体制程持续、稳定的进行。
为了解决上述问题,本发明提供了一种晶圆处理装置,包括用于承载晶圆的基座以及嵌套于所述基座中的轴承;所述基座与所述轴承接触的第一表面具有第一连接结构,所述轴承与所述基座接触的第二表面具有与所述第一连接结构匹配的第二连接结构;所述基座与所述轴承通过所述第一连接结构与所述第二连接结构的卡合实现固定连接。
优选的,所述晶圆处理装置还包括转轴;所述轴承包括内圈、外圈以及置于所述内圈与所述外圈之间的滚珠;所述转轴嵌套于所述内圈中,所述第二连接结构位于所述外圈背离所述滚珠的表面。
优选的,所述第一连接结构包括至少一凹槽,所述第二连接结构包括与所述凹槽匹配的凸起。
优选的,所述第一连接结构包括环绕所述第一表面均匀分布的多个所述凹槽,所述第二连接结构包括与多个所述凹槽一一对应的多个所述凸起。
优选的,多个所述凹槽包括6个所述凹槽。
优选的,所述凹槽的截面形状为半圆形或者任意多边形;所述凸起的截面形状相应的为半圆形或者任意多边形。
优选的,所述凸起的截面形状为半圆形,且半圆形的所述凸起的直径大于所述滚珠的直径。
优选的,所述第一连接结构包括至少一凸起,所述第二连接结构包括与所述凸起匹配的凹槽。
优选的,所述晶圆处理装置为晶圆湿法清洗装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造