[发明专利]晶圆处理装置在审
| 申请号： | 201811202728.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109326542A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱小凡;赵黎 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F16C33/58 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接结构 轴承 晶圆处理装置 半导体制造技术 嵌套 处理装置 第二表面 第一表面 基座接触 使用寿命 轴承接触 晶圆 种晶 磨损 匹配 承载 | ||
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括用于承载晶圆的基座以及嵌套于所述基座中的轴承；所述基座与所述轴承接触的第一表面具有第一连接结构，所述轴承与所述基座接触的第二表面具有与所述第一连接结构匹配的第二连接结构；所述基座与所述轴承通过所述第一连接结构与所述第二连接结构的卡合实现固定连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置还包括转轴；所述轴承包括内圈、外圈以及置于所述内圈与所述外圈之间的滚珠；所述转轴嵌套于所述内圈中，所述第二连接结构位于所述外圈背离所述滚珠的表面。
3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一连接结构包括至少一凹槽，所述第二连接结构包括与所述凹槽匹配的凸起。
4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一连接结构包括环绕所述第一表面均匀分布的多个所述凹槽，所述第二连接结构包括与多个所述凹槽一一对应的多个所述凸起。
5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，多个所述凹槽包括6个所述凹槽。
6.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述凹槽的截面形状为半圆形或者任意多边形；所述凸起的截面形状相应的为半圆形或者任意多边形。
7.根据权利要求6所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述凸起的截面形状为半圆形，且半圆形的所述凸起的直径大于所述滚珠的直径。
8.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一连接结构包括至少一凸起，所述第二连接结构包括与所述凸起匹配的凹槽。
9.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述晶圆处理装置为晶圆湿法清洗装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811202728.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体工艺装置及其工作方法
- 下一篇：芯片封装装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
