[发明专利]音叉型振荡器及封装体

说明书

本发明提供一种音叉型振荡器以及封装体，难以产生由频率调整所引起的绝缘电阻的恶化。音叉型振荡器包括：具有基部及两根振荡臂的音叉片、激发用电极、收容音叉片的封装体、作为将激发用电极与外部连接的配线的一部分的配线图案、以及设置在振荡臂的前端的频率调整部。配线图案的位于频率调整部附近的部分，设置在封装体的由频率调整部遮蔽的区域中。

技术领域

本发明涉及一种在封装体内的配线图案的配置中具有特征的音叉型振荡器及其封装体。

背景技术

作为音叉型振荡器的一种，有音叉型晶体振荡器，进而，作为音叉型振荡器的一种，有使用陶瓷封装体。例如，在专利文献1的图3中表示其一例。在此例的情况下，陶瓷封装体具有：收容音叉型晶体片的凹部。在此凹部的底面上，设置有电极垫或配线图案。另外，在此陶瓷封装体的底板上设置有贯穿配线，在外侧的底面上设置有外部连接端子。

所述凹部内的电极垫与音叉型晶体片的激发用电极，通过导电性接着剂来连接。另外，外部连接端子与激发用电极，是经由贯穿配线、配线图案、电极垫及导电性接着剂来连接。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2017-76910号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

然而，当制造音叉型晶体振荡器时，以此振荡器按规定的频率振荡的方式进行频率调整。作为其典型的方法，有如下的方法：事先在音叉的两根振荡臂的前端，设置包含金等的金属的锤膜(weight film)，对此锤膜照射例如氩的离子来将锤膜的一部分去除，而与目标频率一致。此方法是所谓的离子铣削(ion milling)法。

但是，伴随音叉型晶体振荡器的小型化，形成在陶瓷封装体中的所述配线图案间的距离也越来越变窄。同样地，作为配线图案的一部分的贯穿配线的露出至所述封装体表面上的部分，和与其相反极性的配线图案之间也越来越变窄。另外，在作为陶瓷封装体的一种的使用环缝焊接(seam ring welding)或金锡焊接等技术进行密封的类型的封装体中，在收纳晶体片的所述凹部的周围的堤部的顶面上设置接缝环或金锡环。在此种状况时，存在如下的情况：在所述离子铣削时被去除的频率调整用的锤膜，进而，封装体底面的配线图案的金属成分，再次附着在封装体底面的配线图案间。同样地，存在所述金属成分再次附着在封装体底面的配线图案与接缝环或金锡环之间的情况。若产生此种再次附着，则存在音叉型晶体振荡器的绝缘电阻恶化，并损害音叉型晶体振荡器的可靠性的情况。

本申请是鉴于此种情况而成，因此，本申请的目的在于提供一种难以产生由频率调整所引起的绝缘电阻的恶化的音叉型振荡器、及适合用于制造此音叉型振荡器的封装体。

[解决问题的技术手段]

为了谋求达成此目的，根据本申请的音叉型振荡器，包括：音叉片，具有基部及从此基部延长的至少两根振荡臂；激发用电极，设置在此音叉片上；封装体，收容所述音叉片；配线图案，设置在此封装体的收容所述音叉片的面上，且为将所述激发用电极与外部连接的配线的一部分；以及频率调整部，设置在所述振荡臂的前端；其中，所述配线图案的位于所述频率调整部附近的部分，设置在所述封装体的由所述频率调整部遮蔽的区域中。即，所述部分设置在所述封装体的处于所述频率调整部的下方的区域中。

或者，所述配线图案设置在所述封装体的比所述频率调整部更靠近基部的一侧的区域中。

或者，所述配线图案设置在所述封装体的比所述频率调整部更靠近基部的一侧、且至少一部分由所述音叉片遮蔽的区域中，即音叉片的下方的区域中。