[发明专利]一种消除闪存编程干扰的电路

权利要求书

1.一种消除双分离栅闪存编程干扰的电路，包括：

窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；

窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；

位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd-Vt，其中，Vdd为电源电压，Vt为NMOS管的阈值电压，所述窄脉冲产生电路利用第一与非门及窄脉冲产生器实现；

所述窄脉冲输出电路包括第二与非门以及第一反相器、第二反相器，所述窄脉冲产生电路的输出端连接至第一反相器的输入端和第二与非门的一输入端，编程许可信号PROG连接至第二与非门的另一输入端，第二与非门的输出端连接至第二反相器的输入端，第一反相器的输出端即编程预充电窄脉冲PROGDR_P，第二反相器的输出端即编程许可窄脉冲PROGEN_P。

2.如权利要求1所述的一种消除双分离栅闪存编程干扰的电路，其特征在于：编程控制信号PROG2连接至所述窄脉冲产生器的输入端和第一与非门的一输入端，所述窄脉冲产生器的输出端连接至第一与非门的另一输入端，第一与非门的输出端连接所述窄脉冲输出电路。

3.如权利要求1所述的一种消除双分离栅闪存编程干扰的电路，其特征在于：所述位线充电电路包括多个NMOS管NM27：0。

4.如权利要求3所述的一种消除双分离栅闪存编程干扰的电路，其特征在于：各NMOS管栅极接所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P，漏极接电源电压，源极接对应的位线IOD7：0。

5.如权利要求4所述的一种消除双分离栅闪存编程干扰的电路，其特征在于：编程时，编程许可信号PROG同步拉高，在编程高压电荷泵建立后，编程控制信号PROG2拉高，其一路连接至第一与非门的一输入端，其另一路经所述窄脉冲产生器后产生一宽度为τ的正向窄脉冲连接至所述第一与非门的另一输入端，第一与非门输出一始于编程控制信号PROG2上升沿的宽度为τ的负向窄脉冲，该宽度为τ的负向窄脉冲一路经第一反相器反相后输出得到宽度为τ的正向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P，该宽度为τ的负向窄脉冲的另一路与编程许可信号PROG分别连接至第二与非门的两输入端，第二与非门的输出再经过第二反相器反相得到宽度为τ的负向窄脉冲，即编程许可窄脉冲PROGEN_P。

6.如权利要求5所述的一种消除双分离栅闪存编程干扰的电路，其特征在于：在编程预充电窄脉冲PROGDR_P宽度为τ的高电平的时间内，NMOS管NM27：0导通，IOD7：0被预充电到Vdd-Vt，在编程预充电窄脉冲PROGDR_P起来时IOD7：0即编程电压Vdp已被预充到Vdd-Vt。