[发明专利]一种玫瑰金镀层及其制备工艺

权利要求书

1.一种玫瑰金镀层，其特征在于，包括金属基体，所述金属基体为铜，金属基体的表面为玫瑰金镀层，在玫瑰金镀层与金属基体之间具有过渡层，所述过渡层包括TiCN层、Ti层和Ni层。

2.根据权利要求1所述的一种玫瑰金镀层，其特征在于，所述过渡层从上到下依次为TiCN层、Ti层和Ni层，TiCN层玫瑰金镀层贴合，Ni层与金属基体贴合与。

3.一种玫瑰金镀层的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)前处理：将金属基体表面打磨抛光后，依次放入酒精和丙酮中超声清洗10～15min；

(2)化学镀镍：将清洗后的金属基体放入化学镀镍液中进行化学镀镍处理，其中化学镀镍液温度为80～92℃、pH值为8～10，化学镀镍处理10min结束后，将金属基体放入流动的去离子水中进行清洗处理，清洗时间15s以上，放入真空干燥箱中充分干燥后迅速放入镀膜机真空室准备下一步处理，其中镀膜机真空室本底真空度为5.0×10^-3Pa～8.0×10^-3Pa，加热至200～300℃，保温时间20～30min；

(3)离子清洗：向镀膜机真空室通入Ar气，其压力为0.2Pa，开启偏压电源，电压260V，占空比78，辉光放电清洗20～30min；偏压降低至190V，开启离子源离子清洗20～30min，然后开启电弧源Ti靶，偏压200～300V，靶电流65A，离子轰击Ti靶5～6min；

(4)沉积Ti：调整Ar气压至0.4～0.45Pa，偏压降低至50～60V，电弧镀Ti5～7min；

(5)沉积TiCN：调整工作气压为0.32～0.36Pa，偏压58V，Ti靶电流50～60A；开启N₂，调整N₂流量为50sccm，开启C₂H₂，调整C₂H₂流量为50sccm，沉积温度为120～200℃，中频磁控溅射沉积TiCN40～50min；

(6)沉积玫瑰金镀层：关闭Ti靶材，关闭N₂，关闭C₂H₂；调整Ar气压至0.9～1.8Pa，偏压至100～200V，开启金靶电源，电流调制5～6A，中频磁控溅射沉积玫瑰金10～20min；

(7)后处理：关闭金靶电源，关闭偏压电源、离子源及气体源，保温20～25min，镀层结束；

(8)钝化处理：将镀有玫瑰金镀层的金属基体浸金银保护水，温度为30℃,钝化处理5min，取出烘干。

4.根据权利要求3所述的一种玫瑰金镀层的制备工艺，其特征在于，在化学镀镍的步骤中，其化学镀镍液的配比为：硫酸镍30～40g/L，次磷酸钠20～30g/L，氯化镍20～30g/L，苹果酸铵20～30g/L，钼酸钠5ppm。