[发明专利]存储器系统及其操作方法

说明书

本发明涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置；以及非擦除块管理装置，当对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，该第一字线是用于对第二存储块的读取操作的目标字线，其中第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月26日提交的、申请号为10-2018-0022796的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的各个示例性实施例涉及一种存储器系统，更特别地，涉及一种能够防止读取失败的存储器系统及其操作方法。

背景技术

出现的计算机环境范例是普适计算，即可以在任何时间和任何地点使用的计算系统。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用已经快速增长。这些便携式电子装置通常使用具有一个或多个存储器装置的存储器系统来存储数据。这种装置中的存储器系统可用作主存储器或辅助存储器。

由于存储器系统没有移动部件，所以它们提供优良的稳定性、耐用性、高的信息存取速度以及低功耗。具有这种优点的存储器系统的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。

存储器装置的存储器单元已经被实施为具有用于存储更多数据的三维(3D)结构，然而，可能因为3D结构而存在固有的问题。

更具体地，据报道，当对具有3D结构的存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，在包括在除第一存储块之外的第二存储块中的晶体管的沟道中可能会留下空穴。

此外，据信，当随后对第二存储块执行读取操作时，由于保留在包括在第二存储块中的晶体管的沟道中的空穴，存储在第二存储块中的数据中可能会出现无法校正的错误，这可能导致对第二存储块的读取失败。

据进一步报告，当对底部字线执行沟道初始化时间短的半页面读取操作时，发生这种读取失败的可能性相对较高。因此，需要解决现有技术的上述缺陷。

发明内容

本发明的实施例涉及一种存储器系统及存储器系统的操作方法，当对第一存储块执行擦除操作时，该存储器系统能够通过虚设读取操作去除保留在包括在第二存储块中的晶体管的沟道中的空穴，避免读取失败。

根据本发明的实施例，一种存储器系统包括：存储器装置；以及非擦除块管理装置，当对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时，根据第一字线的位置，确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作，该第一字线是用于对第二存储块的读取操作的目标字线，其中第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线。

非擦除块管理装置可包括：标记表，包括用于第一存储块和第二存储块中的每一个的擦除标记和非擦除标记；以及应力防止(stress prevetion)读取控制器，适于基于标记表控制存储器装置对第二字线执行读取操作。

当对第一存储块执行擦除操作时，非擦除块管理装置可将对应于第一存储块的擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值，并将对应于第二存储块的非擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值。

第一字线可包括处于第二存储块底部的底部字线区域和除底部字线区域之外的非底部字线区域之间的一个字线。

当对非底部字线区域执行读取操作时，非擦除块管理装置可控制存储器装置以对非底部字线区域执行正常的读取操作。

当对底部字线区域执行读取操作时，非擦除块管理装置可控制存储器装置以执行应力防止读取操作，该操作首先对第二字线执行虚设读取操作，然后对底部字线区域执行读取操作。

第二字线可包括处于虚设字线和顶部字线之间的一个字线。