[发明专利]存储器系统及其操作方法有效
申请号: | 201811194571.8 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN110197692B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 丁元镇;李根雨 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/14 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器系统,包括:
存储器装置;以及
非擦除块管理装置,当对包括在所述存储器装置中的第一存储块执行擦除操作时,根据第一字线的位置,确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作,所述第一字线是用于对所述第二存储块的读取操作的目标字线,
其中所述第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线,并且
所述虚设读取操作用于去除保留在包括在所述第二存储块中的存储器单元的沟道中的空穴。
2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述非擦除块管理装置包括:
标记表,其包括用于所述第一存储块和所述第二存储块中的每一个的擦除标记和非擦除标记;以及
应力防止读取控制器,其基于所述标记表控制所述存储器装置以对所述第二字线执行所述读取操作。
3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中当对所述第一存储块执行擦除操作时,所述非擦除块管理装置将对应于所述第一存储块的所述擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值,并将对应于所述第二存储块的所述非擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值。
4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中所述第一字线包括在所述第二存储块底部的底部字线区域和除所述底部字线区域之外的非底部字线区域之间的一个字线。
5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中当对所述非底部字线区域执行读取操作时,所述非擦除块管理装置控制所述存储器装置以对所述非底部字线区域执行正常的读取操作。
6.根据权利要求5所述的存储器系统,其中当对所述底部字线区域执行读取操作时,所述非擦除块管理装置控制所述存储器装置以执行应力防止读取操作,所述应力防止读取操作首先对所述第二字线执行虚设读取操作,然后对所述底部字线区域执行读取操作。
7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中所述第二字线包括处于虚设字线和顶部字线之间的一个字线。
8.根据权利要求7所述的存储器系统,其中当执行正常读取操作和所述应力防止读取操作之间的一个操作时,所述非擦除块管理装置将对应于所述第二存储块的所述非擦除标记从逻辑高值改变为逻辑低值。
9.根据权利要求1所述的存储器系统,
其中所述第二存储块包括多个块,并且
其中所述非擦除块管理装置包括标记表,所述标记表包括用于所述多个块中的每一个的擦除标记和非擦除标记。
10.一种存储器系统的操作方法,所述方法包括:
对包括在存储器装置中的第一存储块执行擦除操作;
通过非擦除块管理装置,根据第一字线的位置,确定是否对第二存储块的第二字线执行读取操作,所述第二存储块是所述存储器装置中除所述第一存储块之外的存储块,所述第一字线是用于对所述第二存储块的读取操作的目标字线;并且
对所述第二存储块的所述第二字线执行读取操作,
其中所述第二字线包括用于虚设读取操作的目标字线,并且
所述虚设读取操作用于去除保留在包括在所述第二存储块中的存储器单元的沟道中的空穴。
11.根据权利要求10所述的方法,其中对所述第二存储块的所述第二字线执行所述读取操作包括:
为所述第一存储块和所述第二存储块中的每一个生成包括擦除标记和非擦除标记的标记表;并且
基于所述标记表控制所述存储器装置以对所述第二字线执行所述读取操作。
12.根据权利要求11所述的方法,其中对所述第二存储块的所述第二字线执行所述读取操作包括:当对所述第一存储块执行擦除操作时,将对应于所述第一存储块的所述擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值,并将对应于所述第二存储块的所述非擦除标记从逻辑低值改变为逻辑高值。
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