[发明专利]基板处理设备及检查处理液喷嘴的方法在审

专利信息
申请号: 201811191705.0 申请日: 2018-10-12
公开(公告)号: CN109659255A 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: 金光燮 申请(专利权)人: 细美事有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 韩国忠淸南道天安*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 基板 处理液 基板处理设备 排出 配置 检查处理 支承构件 液喷嘴 照相机 处理液喷嘴 图像判断 支承基板 控制器 光照射 光源 捕获 拍照
【说明书】:

公开了基板处理设备及检查处理液喷嘴的方法。所述基板处理设备包括:支承构件,其配置为支承基板;处理液喷嘴,其配置为排出处理液至位于所述支承构件上的所述基板;光源,其配置为将光照射到所述基板的点,所述处理液排出到所述基板的所述点;照相机,其配置为对所述基板的点进行拍照,所述处理液排出到所述基板的所述点;以及控制器,其配置为通过所述照相机捕获的图像判断当所述处理液与所述基板碰撞时是否产生冠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月12日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0132279的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

在此描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理设备及一种检查处理液喷嘴的方法。

背景技术

为了制造半导体装置或液晶显示器,在基板上执行如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、以及清洁等不同的工艺。在他们当中,蚀刻工艺是移除在基板上形成的薄膜的多余区域的工艺,并且对于薄膜其需要高选择比以及高蚀刻率。进一步地,在上述工艺期间,可以伴随加热基板的工艺。

通常,在蚀刻或清洁基板的工艺中,依序执行化学工艺操作、清洗操作、和干燥操作。在化学工艺操作中,对基板上形成的薄膜进行蚀刻或向基板供应用于移除基板上的异物的化学品,并且在清洗操作中,将如纯水的清洗液供应到基板上。通过流体对基板的处理可以伴随对基板的加热。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种可以有效处理基板的基板处理设备,以及基板处理方法。

本发明构思的实施例还提供了一种可以检查处理液喷嘴状态的基板处理设备以及一种检查处理液喷嘴的方法。

根据本发明构思的一方面,有一种基板处理设备,其包括:支承构件,其配置为支承基板;处理液喷嘴,其配置为排出处理液至位于所述支承构件上的所述基板;光源,其配置为将光照射到所述基板的点,所述处理液排出到所述基板的所述点;照相机,其配置为对所述基板的点进行拍照,所述处理液排出到所述基板的所述点;以及控制器,其配置为通过所述照相机捕获的图像判断当所述处理液与所述基板碰撞时是否产生冠。

在因所述冠导致光散射的形式下,所述光源照射光。

所述光源发光,以使相对于垂直线的光的入射角为5-85度。

通过所述冠的宽度,所述控制器检测所述处理液排出的量。

通过所述冠的中心以及所述处理液喷嘴的末端的中心,所述控制器检测所述处理液的出流角(discharge angle)。

与本发明构思另一方面一致,提供了一种检查处理液喷嘴的方法,所述方法包括:当处理液与基板碰撞时,通过将光照射到基板的点判断是否产生冠,所述处理液与所述基板在所述基板的所述点碰撞;和在控制处理液喷嘴向所述基板排出处理液的状态下捕获图像。

在因所述冠导致光散射的形式下,照射所述光。

所述光以相对于垂直线为5-85度的角度照射。

通过所述冠的宽度,检测所述处理液的排出量。

通过所述冠的中心以及所述处理液喷嘴的末端的中心,检测所述处理液的出流角。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明的示例性实施例,本发明构思的上述和其他的目的和特征将变得显而易见。

图1为示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的平面图;

图2为示出根据本发明构思的实施例的工艺腔室的视图;

图3为示出通过使用光源用照相机捕获图像的原理的视图;

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