[发明专利]基板处理设备及检查处理液喷嘴的方法在审
| 申请号: | 201811191705.0 | 申请日: | 2018-10-12 |
| 公开(公告)号: | CN109659255A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
| 发明(设计)人: | 金光燮 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基板 处理液 基板处理设备 排出 配置 检查处理 支承构件 液喷嘴 照相机 处理液喷嘴 图像判断 支承基板 控制器 光照射 光源 捕获 拍照 | ||
1.一种基板处理设备,其包括:
支承构件,其配置为支承基板;
处理液喷嘴,其配置为排出处理液至位于所述支承构件上的所述基板;
光源,其配置为将光照射到所述基板的点,所述处理液排出到所述基板的所述点;
照相机,其配置为对所述基板的点进行拍照,所述处理液排出到所述基板的所述点;以及
控制器,其配置为通过所述照相机捕获的图像判断当所述处理液与所述基板碰撞时是否产生冠。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,在因所述冠导致光散射的形式下,所述光源照射光。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中,所述光源照射光,使得相对于垂直线的光的入射角为5-85度。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,通过所述冠的宽度,所述控制器检测排出的所述处理液的量。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,通过所述冠的中心以及所述处理液喷嘴的末端的中心,所述控制器检测所述处理液的出流角。
6.一种检查处理液喷嘴的方法,所述方法包括:
当处理液与基板碰撞时,通过将光照射到基板的点判断是否产生冠,所述处理液与所述基板在所述基板的所述点碰撞;和在控制处理液喷嘴向所述基板排出所述处理液的状态下捕获图像。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在因所述冠导致光散射的形式下,照射所述光。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述光以相对于垂直线为5-85度的角度照射。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,通过所述冠的宽度检测所述处理液的排出量。
10.根据权利要求6所述的方法,其中,通过所述冠的中心以及所述处理液喷嘴的末端的中心,检测所述处理液的出流角。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





