[发明专利]非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置

说明书

本发明涉及非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置。目的在于提供能够缩短数据的改写时间的非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置。具有：数据写入步骤，接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址，在写入目的地的块为数据写入完毕的情况下，将在多个块之中数据未写入的空闲块作为临时保管块，将写入用数据写入到临时保管块中；以及管理步骤，向写入目的地的块和临时保管块这每一对分配与该一对对应的索引号码，生成将索引号码与表示临时保管块在非易失性存储器内的位置的物理地址对应起来表示的管理表，在数据写入步骤中，从管理表取得向写入目的地的块分配的索引号码所对应的物理地址，将写入用数据写入到由物理地址表示的临时保管块中。

技术领域

本发明涉及存储器，特别是涉及进行写入到非易失性存储器中的数据的改写的数据改写方法、以及包含非易失性存储器的半导体装置。

背景技术

作为非易失性的半导体存储器的NAND型闪速存储器（以下，称为NAND存储器）以页面为单位进行数据的写入和读出，以由多个页面构成的块为单位进行数据的擦除。

在NAND存储器中，不能将数据覆盖到数据写入完毕的页面，因此，例如如以下那样进行数据的改写（例如，参照专利文献1）。

即，首先，将写入用数据写入到未写入数据的空闲块中。接着，从由地址指定的写入目的地的块内读出未成为数据的改写对象的全部数据，将其如上述那样写入到写入了写入用数据的空闲块中。然后，将该块设定为能够从外部接入的块，并且，通过擦除上述的写入目的地的块的数据来确保空闲块。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-134682号。

发明要解决的课题

像这样，在上述的数据写入方法中，以作为数据的擦除单位的块为单位进行了数据的改写。

因此，当写入用数据的数据容量比块的存储容量小时，如上述那样，需要从写入目的地的块读出未成为数据的改写对象的全部数据并将其写入到空闲块中这样的复制处理。因此，产生了在数据的改写处理中花费时间这样的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够缩短数据的改写时间的非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置。

用于解决课题的方案

本发明的非易失性存储器的数据改写方法是，一种非易失性存储器的数据改写方法，所述非易失性存储器具有多个块，所述数据改写方法具有：数据写入步骤，接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址，在所述写入目的地的块为数据写入完毕的情况下，将在所述多个块之中数据未写入的空闲块作为临时保管块，将所述写入用数据写入到所述临时保管块中；以及管理步骤，向所述写入目的地的块和所述临时保管块这一对分配与该一对对应的索引号码，生成将所述索引号码与表示所述临时保管块在所述非易失性存储器内的位置的物理地址对应起来表示的管理表，在所述数据写入步骤中，从所述管理表取得向所述写入目的地的块分配的所述索引号码所对应的所述物理地址，将所述写入用数据写入到由所述物理地址表示的所述临时保管块中。

此外，本发明的半导体装置是，一种半导体装置，包含具有多个块的非易失性存储器，所述半导体装置具有：数据写入控制部，接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址，在所述写入目的地的块为数据写入完毕的情况下，将在所述多个块之中数据未写入的空闲块作为临时保管块，将所述写入用数据写入到所述临时保管块中；以及管理控制部，向所述写入目的地的块和所述临时保管块这一对分配与该一对对应的索引号码，生成将所述索引号码与表示所述临时保管块在所述非易失性存储器内的位置的物理地址对应起来表示的管理表，所述数据写入控制部从所述管理表取得向所述写入目的地的块分配的所述索引号码所对应的所述物理地址，将所述写入用数据写入到由所述物理地址表示的所述临时保管块中。

发明效果