[发明专利]非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201811189073.4 申请日: 2018-10-12
公开(公告)号: CN109656835B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 渡边伴美 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;闫小龙
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 数据 改写 方法 以及 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器的数据改写方法,所述非易失性存储器具有多个块,所述数据改写方法的特征在于,具有:

数据写入步骤,接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址,在所述写入目的地的块为数据写入完毕的情况下,将在所述多个块之中数据未写入的空闲块作为临时保管块,将所述写入用数据写入到所述临时保管块中;以及

管理步骤,向所述写入目的地的块和所述临时保管块这一对分配与该一对对应的索引号码,生成将所述索引号码与表示所述临时保管块在所述非易失性存储器内的位置的物理地址对应起来表示的管理表,

在所述数据写入步骤中,从所述管理表取得向所述写入目的地的块分配的所述索引号码所对应的所述物理地址,将所述写入用数据写入到由所述物理地址表示的所述临时保管块中。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的数据改写方法,其特征在于,在所述数据写入步骤中将第一写入用数据写入到与由所述逻辑地址表示的所述写入目的地的块成对的所述临时保管块中之后、接收到第二写入用数据和表示与写入了所述第一写入用数据的所述临时保管块成对的所述写入目的地的块的、所述逻辑地址的情况下,将所述第二写入用数据写入到写入了所述第一写入用数据的所述临时保管块中。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器的数据改写方法,其特征在于,在所述管理步骤中写入到所述临时保管块中的所述写入用数据的蓄积容量与所述临时保管块的存储容量相等的情况下,代替与所述临时保管块成对的所述写入目的地的块而将所述临时保管块设定为可外部接入的块。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器的数据改写方法,其特征在于,在所述管理步骤中,将与所述临时保管块成对的所述写入目的地的块设定为所述空闲块。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的数据改写方法,其特征在于,在所述管理步骤中,将表示所述写入目的地的块的逻辑地址所对应的物理地址变更为所述临时保管块的物理地址,并且,将与所述临时保管块成对的所述写入目的地的块的物理地址变更为未使用的地址。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的非易失性存储器的数据改写方法,其特征在于,在所述管理步骤中所述多个块之中的所述空闲块的剩余数量为规定数量以下的情况下,将所述临时保管块设定为可外部接入的块,并且,将与所述临时保管块成对的所述写入目的地的块设定为所述空闲块。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的数据改写方法,其特征在于,

在所述管理步骤中,按照所述索引号码的每一个将经过信息对应起来记述到所述管理表中,所述经过信息表示在向与该索引号码对应的所述临时保管块的、所述写入用数据的写入后在其他的临时保管块中实施的数据写入的次数,

将与所述次数最多的所述经过信息对应起来的所述索引号码所对应的所述临时保管块设定为可外部接入的块。

8.一种半导体装置,包含具有多个块的非易失性存储器,所述半导体装置的特征在于,具有:

数据写入控制部,接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址,在所述写入目的地的块为数据写入完毕的情况下,将在所述多个块之中数据未写入的空闲块作为临时保管块,将所述写入用数据写入到所述临时保管块中;以及

管理控制部,向所述写入目的地的块和所述临时保管块这一对分配与该一对对应的索引号码,生成将所述索引号码与表示所述临时保管块在所述非易失性存储器内的位置的物理地址对应起来表示的管理表,

所述数据写入控制部从所述管理表取得向所述写入目的地的块分配的所述索引号码所对应的所述物理地址,将所述写入用数据写入到由所述物理地址表示的所述临时保管块中。

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