[发明专利]用于样本的缺陷检测及光致发光测量的系统及方法

说明书

本揭露涉及用于样本的缺陷检测及光致发光测量的系统及方法。样本的缺陷检测及光致发光测量将斜照明波长光束引导到样本的一部分上；将用于引起样本的一或多个光致发光缺陷发射光致发光的光的法线照明波长光束引导到样本的一部分上；收集来自样本的缺陷散射辐射或光致发光辐射；将来自样本的所述辐射分离成可见光谱中的辐射的第一部分、包含法线照明波长光的辐射的第二部分及包含斜照明波长光的辐射的至少第三部分；测量辐射的第一部分、辐射的第二部分或辐射的第三部分的一或多个特性；基于辐射的第一部分、辐射的第二部分或辐射的第三部分的经测量的一或多个特性来检测一或多个光致发光缺陷或一或多个散射缺陷。

本申请是申请日为2014年06月25日，申请号为“201480046386.8”，而发明名称为“用于样本的缺陷检测及光致发光测量的系统及方法”的申请的分案申请。

相关申请案的交叉参考

本申请案涉及且主张来自以下列出的申请案(“相关申请案”)的最早可用有效申请日期的权益(举例来说，主张除临时专利申请案以外的最早可用优先权日期或根据35USC§119(e)主张对于临时专利申请案、对于相关申请案的任何及全部上一代(parent)、上两代(grandparents)、上三代(great-grandparents)等等申请案的权益)。

相关申请案：

出于USPTO非法定要求的目的，本申请案构成2013年6月26日申请的命名罗曼·萨珮(ROMAIN SAPPEY)为发明者的题为“光致发光及缺陷检查系统及方法(PHOTOLUMINESCENCE AND DEFECT INSPECTION SYSTEMS AND METHODS)”的申请序列号为61/839,494的美国临时专利申请案的正式(非临时)专利申请案。

技术领域

本发明大体上涉及缺陷的检测及分类，且更特定来说，本发明涉及光致发光缺陷及散射缺陷的检测及分类。

背景技术

随着对于不断缩小的半导体装置的需求持续增加，因此对于用于缺陷识别及分类的经改进检查工具的需求也将增加。影响所制造装置的品质的缺陷可包含(举例来说)堆垛层错缺陷及基面位错(basal plane dislocation)缺陷。堆垛层错缺陷及基面位错在当使用紫外光刺激时显示弱光致发光符号。当前检查工具并不能有效地测量光致发光缺陷连同散射类型缺陷。因而，期望提供用以消除先前技术的缺陷的经改进方法及系统。

发明内容