[发明专利]反偏试验样品保护方法及装置

说明书

本发明涉及一种反偏试验样品保护方法及装置，其提供若干待测样品、栅偏电压电路以及反偏电压电路；还包括熔断器组以及低压继电器组，熔断器组内包括与待测样品数量相一致的保护熔断器，低压继电器组内包括与待测样品数量相一致的低压继电器；每个待测样品的第一端与栅偏电压电路电连接，待测样品的第二端与熔断器组内相应保护熔断器的第一端以及低压继电器组内相应低压继电器常开触点的第一端连接，熔断器的第二端与反偏电压电路电连接，低压继电器常开触点的第二端与高压继电器KM0常开触点的一端连接，高压继电器KM0常开触点的另一端接地；本发明保护触发电流可以灵活设置，提高保护动作的响应速度以及保护精准度。

技术领域

本发明涉及一种方法及装置，尤其是一种反偏试验样品保护方法及装置，属于反偏试验保护的技术领域。

背景技术

HTRB(High Temperature Reverse Bias，高温反偏试验)是一种加速寿命试验，试验时给待测样品施加特定的电学条件，然后将样品在特定温度的高温环境中(如125℃)放置特定时间(如1000小时)。通过给待测器件施加这类恶劣的环境及电学应力来考察待测样品的特性是否会出现退化，从而来判定或评估待测样品的品质。

H₃TRB(High Temperature High Humidity Reverse Bias，高温高湿反偏试验)是一种加速寿命试验，试验时给待测样品施加特定的电学条件，然后将样品在特定温度和湿度的环境中(通常温度为85℃，相对湿度为85％)放置特定时间(如1000小时)。通过给待测器件施加这类恶劣的环境及电学应力来考察待测样品的特性是否会出现退化，从而来判定或评估待测样品的品质。

HTRB试验与H₃TRB试验的主要差别在于环境条件，HTRB是将样品放置在高温环境中，H₃TRB则是将样品放置在高温高湿环境中。两个试验的电学条件虽然也有差异，但试验的基本电路原理几乎一样。

图1、图2、图3所示分别为二极管器件、IGBT器件、MOSFET/HEMT器件相对应的HTRB或H₃TRB试验电路原理；其中，

对于二极管类器件，通过恒压电源在其阴极-阳极间施加特定的电压V_KK。电源和样品间通常会串联有一个电阻R(限流及保护作用，防止样品失效后电源输出直接被短路到大地)。

对于IGBT类器件，通过恒压电源在其集电极-发射极间施加特定的电压V_CC。电源和样品间通常会串联有一个电阻R(限流及保护作用，防止样品失效后电源输出直接被短路到大地)。待测器件的栅极-发射极间可直接短路或施加特定偏压V_GG。

对于MOSFET或HEMT类器件，通过恒压电源在其漏极-源极间施加特定的电压V_DD。电源和样品间通常会串联有一个电阻R(限流及保护作用，防止样品失效后电源输出直接被短路到大地)。待测器件的栅极-源极间可直接短路或施加特定偏压V_GG。