[发明专利]反偏试验样品保护方法及装置

权利要求书

1.一种反偏试验样品保护方法，提供若干待测样品、用于向待测样品加载栅偏电压的栅偏电压电路以及用于向待测样品加载反偏电压的反偏电压电路；其特征是：还包括与待测样品适配连接的熔断器组以及低压继电器组，所述熔断器组内包括与待测样品数量相一致的保护熔断器，低压继电器组内包括与待测样品数量相一致的低压继电器；

每个待测样品的第一端与栅偏电压电路电连接，待测样品的第二端与熔断器组内相应保护熔断器的第一端以及低压继电器组内相应低压继电器常开触点的第一端连接，熔断器的第二端与反偏电压电路电连接，低压继电器常开触点的第二端与高压继电器KMT0常开触点的一端连接，高压继电器KMT0常开触点的另一端接地；

还包括能采集待测样品试验过程中泄漏电流的采样电路，所述采样电路与试验保护控制器连接，所述试验保护控制器与低压继电器组内相应低压继电器的线圈电连接，且试验保护控制器还与高压继电器KMT0线圈电连接；

在试验保护控制器内预设与每个待测样品对应的保护电流值，试验保护控制器通过采样电路确定每个待测样品试验时的泄漏电流，当任一待测样品试验时的泄漏电流超过对应的保护电流值时，试验保护控制器将相应的待测样品确定为试验保护样品；

当判定存在试验保护样品时，试验保护控制器降低反偏电压电路输出的反偏电压，以使得反偏电压电路输出的反偏电压低于低压继电器的额定电压，且试验保护控制器将与试验保护样品对应连接低压继电器的常开触点、高压继电器KMT0的常开触点依次闭合，以使得与试验保护样品连接的熔断器熔断；

与试验保护样品对应连接的熔断器熔断后，试验保护控制器将高压继电器KMT0的常开触点、与试验保护样品对应连接低压继电器的常开触点依次断开；

在高压继电器KMT0的常开触点断开后，试验保护控制器在将反偏电压电路的输出电压恢复到所需的电压值。

2.根据权利要求1所述的反偏试验样品保护方法，其特征是：所述栅偏电压电路包括限流电阻R1，限流电阻R1的第一端接收栅偏电压V_GG，限流电阻R1的第二端与低压继电器KM-LV常开触点的一端连接，低压继电器KM-LV常开触点的另一端与熔断器FU0的一端连接，熔断器FU0的另一端与待测样品的第一端连接。

3.根据权利要求1所述的反偏试验样品保护方法，其特征是：所述反偏电压电路包括功率电阻R2，功率电阻R2的一端接收加载的反偏电压V_R，功率电阻R2的另一端与高压继电器KM-HV常开触点的一端连接，高压继电器KM-HV常开触点的另一端与熔断器组内所有保护熔断器的第二端连接。

4.根据权利要求1所述的反偏试验样品保护方法，其特征是：所述待测样品包括二极管器件、IGBT器件、MOSFET器件、HEMT器件、晶闸管器件、继电器。