[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和程序

说明书

本发明提供等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和聚焦环的升降控制程序。第一载置台(2)用于载置作为等离子体处理对象的晶片(W)。升降机构(120)使载置于晶片(W)周围的聚焦环(5)升降。获取部获取通过测定晶片(W)的状态而得的状态信息。计算部基于获取的状态信息所表示的晶片(W)的状态，计算使晶片(W)的上表面与聚焦环(5)的上表面的位置关系成为预先设定的距离间隔的聚焦环(5)的高度。升降控制部控制升降机构(120)，使聚焦环5成为计算出的高度。由此，能够抑制对被处理体进行等离子体处理的均匀性降低。

技术领域

本发明的各侧面和实施方式涉及等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和聚焦环的升降控制程序。

背景技术

现有技术中，已知一种等离子体处理装置，其使用等离子体对半导体晶片(以下也称为“晶片”)等被处理体进行蚀刻等的等离子体处理。该等离子体处理装置在进行等离子体处理时，其腔室内的部件会被消耗。例如，为了使等离子体均匀化而设置于晶片的外周部的聚焦环有时离等离子体较近，消耗速度较快。聚焦环的消耗程度对晶片上的处理结果有较大影响。例如，当在聚焦环上的等离子体鞘与晶片上的等离子体鞘的高度位置产生偏差时，晶片的外周附近的蚀刻特性降低，影响均匀性等。

因此，在等离子体处理装置中，当聚焦环有一定程度的消耗时，进行聚焦环的交换(例如，参照下述专利文献1)。此外，还提案了一种利用驱动机构使聚焦环上升，使得晶片和聚焦环的高度总是保持为一定的技术(例如，参照下述专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-146472号公报

专利文献2：日本特开2002-176030号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

即使在交换聚焦环或驱动聚焦环使得晶片和聚焦环的高度总是保持为一定的情况下，也存在蚀刻特性在不同的晶片间发生偏差的情况。

晶片的尺寸虽然按照标准进行了规定，但是具有在标准内直径或厚度等的状态产生偏差的情况。因此，在等离子体处理装置中，由于晶片状态的偏差，存在蚀刻特性在不同的晶片间发生偏差的情况。尤其是晶片的周边部容易受到晶片状态的偏差带来的影响。

解决问题的技术手段

公开的等离子体处理装置，在一个实施方式中包括载置台、升降机构、获取部、计算部和升降控制部。载置台用于载置作为等离子体处理对象的被处理体。升降机构使载置于被处理体周围的聚焦环升降。获取部获取通过测定被处理体的状态而得的状态信息。计算部基于由获取部所获取的状态信息表示的被处理体的状态，计算使被处理体的上表面与聚焦环的上表面的位置关系成为预先设定的距离间隔的聚焦环的高度。升降控制部控制升降机构，使得聚焦环成为由计算部计算出的高度。

发明效果

根据公开的等离子体处理装置的一个方式，能够获得抑制不同被处理体的蚀刻特性偏差的效果。

附图说明

图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置的概略结构的概略截面图。

图2是表示第一载置台和第二载置台的主要部分的结构的概略截面图。

图3是从上方观察第一载置台和第二载置台的俯视图。

图4是表示激光反射系统的图。

图5是表示光的检测强度的分布的一个例子的图。

图6是表示第一实施方式的控制等离子体处理装置的控制部的概略结构的框图。

图7A是示意性地表示理想的等离子体鞘的状态的图。