[发明专利]制造集成电路器件的方法

说明书

提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。

技术领域

发明构思涉及制造集成电路器件的方法，更具体地，涉及制造包括具有精细临界尺寸(CD)的图案的集成电路器件的方法。

背景技术

随着集成电路器件的按比例缩小和大规模集成的快速发展，期望用于制造具有减少的设计规则的集成电路器件的新技术。例如，当光刻期间仅使用光致抗蚀剂图案作为掩模图案以实现具有精细CD的图案时，可能难以保证将形成的图案或器件的尺寸精度。当光刻期间使用具有多层的掩模图案时，用于图案化所述多层的各种蚀刻工艺被额外使用，并且下部结构可能在蚀刻工艺期间被损坏。结果，可能难以制造具有所希望的尺寸精度和电特性的集成电路器件。因此，期望开发用于克服光刻中的分辨率限制并防止或降低下部图案在用于图案化多层的蚀刻工艺期间受到不利影响的可能性的新工艺。

发明内容

发明构思提供了通过克服形成用于形成由于集成电路器件的按比例缩小而具有精细临界尺寸(CD)的精细图案的光刻中的分辨率极限并防止下部图案在用于图案化多层的蚀刻工艺期间受到不利影响而更精确地控制将要形成的器件的尺寸精度并确保其期望的电特性的集成电路器件制造方法。

根据发明构思的一些示例实施方式，提供了一种制造集成电路器件的方法。在该方法中，多个鳍型有源区在衬底中形成。扩散缓冲层在鳍型有源区上形成以阻止氧扩散到鳍型有源区中。含碳层在扩散缓冲层上形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一组鳍型有源区中。

根据发明构思的一些示例实施方式，提供了一种制造集成电路器件的方法。在该方法中，扩散缓冲层在具有多个鳍型有源区的衬底上形成。第一掩模堆叠结构在扩散缓冲层上形成。第一掩模图案通过蚀刻第一掩模堆叠结构而形成为具有暴露扩散缓冲层的第一区的第一开口并覆盖扩散缓冲层的第二区。第一杂质离子使用第一掩模图案作为离子注入掩模经由第一开口和扩散缓冲层的第一区注入到第一组鳍型有源区中。扩散缓冲层的第二区通过去除第一掩模图案被暴露。

根据发明构思的一些示例实施方式，提供了一种制造集成电路器件的方法。在该方法中，多个鳍型有源区通过部分地蚀刻衬底而形成为彼此平行延伸。绝缘膜被形成以填充所述多个鳍型有源区之间的空间。扩散缓冲层在所述多个鳍型有源区和绝缘膜上形成，以阻止氧扩散到鳍型有源区中。具有多层的掩模堆叠结构在扩散缓冲层上形成。掩模图案通过蚀刻掩模堆叠结构而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口。阱通过使用掩模图案作为离子注入掩模使杂质离子经由开口和扩散缓冲层注入到所述多个鳍型有源区的一组中而在该组鳍型有源区中形成。

附图说明

发明构思的实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：

图1A至1T是根据发明构思的一些实施方式的制造集成电路器件的方法中的阶段的剖视图；

图2A至2H是根据发明构思的一些示例实施方式的制造集成电路器件的方法中的阶段的剖视图；

图3A是可使用根据发明构思的一些实施方式的制造集成电路器件的方法制造的示例集成电路器件的电路图；

图3B是图3A所示的集成电路器件的主要元件的俯视图；以及

图4是显示评估通过根据发明构思的一些实施方式的制造集成电路器件的方法中所使用的扩散缓冲层来抑制鳍型有源区氧化的效果的结果的图。

具体实施方式