[发明专利]制造集成电路器件的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

在衬底中形成多个鳍型有源区；

在所述多个鳍型有源区上形成扩散缓冲层，以阻止氧扩散到所述多个鳍型有源区中，所述扩散缓冲层具有平的顶表面和拥有凹凸形状的底表面；

在所述扩散缓冲层上形成含碳层；

通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻所述含碳层而形成含碳掩模图案，所述含碳掩模图案具有暴露所述扩散缓冲层的一部分的开口；以及

使用所述含碳掩模图案作为离子注入掩模使杂质离子经由所述开口和所述扩散缓冲层注入到一组鳍型有源区中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述扩散缓冲层包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氮化物、硅碳化物、硅氧碳化物、硅氧碳氮化物和多晶硅中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述多个鳍型有源区之后并且在形成所述扩散缓冲层之前，形成隔离膜以填充所述多个鳍型有源区之间的空间，

其中所述扩散缓冲层的覆盖所述多个鳍型有源区的第一部分的厚度大于所述扩散缓冲层的覆盖所述隔离膜的第二部分的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述含碳掩模图案包括使用包含COS和SO₂中的至少一种的蚀刻气体来蚀刻所述含碳层。

5.根据权利要求1所述的方法，在形成所述含碳掩模图案期间，还包括在所述扩散缓冲层中形成氧扩散区，所述氧扩散区与所述扩散缓冲层的底表面间隔开。

6.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

在具有多个鳍型有源区的衬底上形成扩散缓冲层，所述扩散缓冲层具有平的顶表面和拥有凹凸形状的底表面；

在所述扩散缓冲层上形成第一掩模堆叠结构；

通过蚀刻所述第一掩模堆叠结构而形成第一掩模图案，所述第一掩模图案具有暴露所述扩散缓冲层的第一区的第一开口并且覆盖所述扩散缓冲层的第二区；

使用所述第一掩模图案作为离子注入掩模使第一杂质离子经由所述第一开口和所述扩散缓冲层的所述第一区注入到第一组鳍型有源区中；以及

通过去除所述第一掩模图案而暴露所述扩散缓冲层的所述第二区。

7.根据权利要求6所述的方法，其中

所述第一掩模堆叠结构包括含碳层，以及

形成所述第一掩模图案包括在包含氧原子的蚀刻气氛中蚀刻所述含碳层。

8.根据权利要求6所述的方法，在形成所述第一掩模图案期间，还包括在所述扩散缓冲层的所述第一区中形成第一氧扩散区，所述第一氧扩散区与所述扩散缓冲层的底表面间隔开。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述扩散缓冲层的覆盖所述多个鳍型有源区的部分的厚度大于所述扩散缓冲层的覆盖所述多个鳍型有源区之间的空间的部分的厚度。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述扩散缓冲层包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氮化物、硅碳化物、硅氧碳化物、硅氧碳氮化物和多晶硅中的至少一种。

11.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一掩模堆叠结构包括顺序地形成在所述扩散缓冲层上的含碳层和含硅有机抗反射层，以及

形成所述第一掩模图案包括使用包含COS和SO₂中的至少一种的蚀刻气体来蚀刻所述含碳层。

12.根据权利要求6所述的方法，其中

所述第一掩模堆叠结构包括顺序地形成在所述扩散缓冲层上的含碳层和硬掩模层，以及

形成所述第一掩模图案包括使用包含COS和SO₂中的至少一种的蚀刻气体来蚀刻所述含碳层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述扩散缓冲层包括与所述硬掩模层不同的材料。