[发明专利]用于提高器件稳定性的GOA单元

权利要求书

1.一种用于提高器件稳定性的GOA单元，其特征在于：所述GOA单元包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一复位薄膜晶体管(T12)；

所述上拉单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元分别与第n级GOA单元的栅极信号输出端(G(n))电性连接；所述上拉控制单元及所述下拉单元与所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))电性连接，所述复位薄膜晶体管(T12)的栅极电性连接一复位信号端(RESET)，所述复位薄膜晶体管(T12)的源极电性连接一工作电压(VSSQ)，所述复位薄膜晶体管(T12)的漏极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))；

其中所述上拉控制单元包括一第一薄膜晶体管(T11)，其栅极电性连接一启动信号(STV)，漏极电性连接一负载电阻而且所述负载电阻电性连接所述复位信号端(RESET)，源极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))。

2.如权利要求1所述的用于提高器件稳定性的GOA单元，其特征在于：所述上拉控制单元还包括：一第二薄膜晶体管(T22)，其栅极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))，源极电性连接第n级GOA单元的级传信号输出端(ST(n))，漏极电性连接一时钟信号(CK)。

3.如权利要求1所述的用于提高器件稳定性的GOA单元，其特征在于：所述上拉单元包括：一第三薄膜晶体管(T21)，其栅极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))，源极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号输出端(G(n))，漏极电性连接一时钟信号(CK)。

4.如权利要求1所述的GOA单元，其特征在于：所述下拉单元包括：

一第四薄膜晶体管(T41)，其栅极电性连接第n+m级GOA单元的栅极信号输出端，m为自然数，漏极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))，源极电性连接所述工作电压(VSSQ)；及

一第五薄膜晶体管(T31)，其栅极连接第n+m级GOA单元的栅极信号输出端，漏极电性连接所述栅极信号输出端(G(n))，源极电性连接另一个工作电压(VSSG)。

5.如权利要求1所述的GOA单元，其特征在于：所述下拉维持单元包括：

一第六薄膜晶体管(T32)，其栅极电性连接第n级GOA单元的一节点(P(n))，源极及漏极分别电性连接所述栅极信号输出端(G(n))及所述工作电压(VSSQ)；

一第七薄膜晶体管(T42)，其栅极电性连接所述节点(P(n))，源极及漏极分别电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))及所述工作电压(VSSQ)；

一第八薄膜晶体管(T51)，其栅极电性连接一时钟信号(CK)，源极及漏极分别电性连接所述时钟信号(CK)及一第四薄膜晶体管(T41)的栅极；

一第九薄膜晶体管(T53)，其源极及漏极分别电性连接所述时钟信号(CK)及所述节点(P(n))；

一第十薄膜晶体管(T52)，其栅极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))，源极及漏极分别电性连接另一个工作电压(VSSG)及第四薄膜晶体管(T41)的栅极；及

一第十一薄膜晶体管(T54)，其栅极电性连接所述第n级GOA单元的栅极信号点(Q(n))，源极及漏极分别电性连接所述另一个工作电压(VSSG)及所述节点(P(n))。