[发明专利]形成半导体封装的方法和半导体封装

权利要求书

1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：

提供半导体管芯和第一衬底，其中，所述半导体管芯包括管芯触点，其中，所述第一衬底包括第一侧，并且其中，所述第一侧包括第一电触点；

形成模制结构以封装所述半导体管芯和所述第一衬底；以及

在所述模制结构中提供三维天线以电耦合到所述第一电触点。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述模制结构包括暴露所述第一电触点的至少一部分的开口。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在形成所述模制结构期间，至少部分地形成所述开口。

4.根据权利要求2至3中任一项所述的方法，其中，在形成所述模制结构之后至少部分地形成所述开口。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，在形成所述模制结构之后执行所述提供所述三维天线，以及

其中，在所述开口中形成所述三维天线。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，所述提供三维天线包括在所述模制结构的所述开口的表面的至少一部分上形成螺旋或连续导电表面形式的迹线。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其中，在形成所述模制结构之前执行所述提供所述三维天线，

其中，所述三维天线和所述第一衬底在形成所述模制结构之前布置在彼此上方。

8.根据权利要求5或7所述的方法，其中，所述三维天线是预形成的三维天线。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，

还包括在所述天线上提供电介质材料，从而形成电介质透镜天线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，提供所述电介质透镜天线还包括在所述透镜的表面上形成至少一条金属迹线。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述至少一条金属迹线包括激光金属化或激光结构化，然后是无电镀敷。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，

其中，所述天线包括横截面从靠近所述第一衬底的端部到远离所述第一衬底的端部增大的形状。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，

其中，所述三维天线包括连续表面。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，

其中，所述半导体管芯设置在第二衬底上，并且其中，所述第二衬底包括第一侧和第二侧，其中，所述第一侧包括第二电触点，并且其中，所述第二电触点电耦合到所述管芯触点。

15.根据权利要求14所述的方法，

其中，所述第一衬底和所述第二衬底是公共衬底的部分。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的方法，

其中，所述三维天线选自以下中的至少一个：圆锥形喇叭天线、电介质透镜天线、包括透镜上的金属迹线的电介质透镜天线、螺旋天线。

17.一种半导体封装，包括：

第一衬底，所述第一衬底包括第一侧和第二侧，其中，所述第一侧包括第一电触点；

半导体管芯，所述半导体管芯包括管芯触点；

模制结构，其中，所述半导体管芯和所述第一衬底由所述模制结构封装；以及

设置在所述模制结构中的三维天线，其中，所述三维天线电耦合到所述第一电触点。