[发明专利]一种辐射散热的可绕折金属铝基复合陶瓷基板及其制备方法

权利要求书

1.一种辐射散热的可绕折金属铝基复合陶瓷基板，其特征在于：依次包括辐射散热层、铝基板、复合陶瓷绝缘保护层和导电层；

其中：

辐射散热层的厚度为20-35μm，

铝基板的厚度为200-800μm，

复合陶瓷绝缘保护层的厚度为70-120μm，

导电层的厚度为15-36μm，

所述辐射散热层由辐射散热涂料制成，所述辐射散热涂料包括下述组分：

15-62重量份的铝溶胶，

15-62重量份的硅溶胶，

4-23重量份的氧化物，

5-23重量份的防沉剂。

2.根据权利要求1所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板，其特征在于：

所述铝溶胶为分散型纳米氧化铝，所述铝溶胶中分散颗粒的粒径为2-7μm，

所述硅溶胶为有机硅/环氧改性树脂，

所述氧化物为Mn-Cr-Ti-Cu系多元氧化物，粒径为12-27μm，

所述防沉剂为纳米氧化铝分散液。

3.根据权利要求1所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板，其特征在于：所述铝基板为1、3、5、6或7系列的铝或铝合金；

所述导电层为铜箔，所述铜箔为电解铜箔或压延铜箔。

4.根据权利要求1所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板，其特征在于：所述复合陶瓷绝缘保护层由复合陶瓷绝缘材料制成，所述复合陶瓷绝缘材料包括下述组分：

40-60重量份的改性硅氧烷预聚体，

25-35重量份的氧化铝和氮化铝复合粉体，

0-1重量份的分散剂，

0-1重量份的流平剂，

2-5重量份的偶联剂，以及

5-33重量份的溶剂。

5.根据权利要求4所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板，其特征在于：

所述氧化铝和氮化铝复合粉体的粒径为2-7μm，

所述分散剂为纳米氧化铝分散液，

所述偶联剂为KH550和/或KH560，

所述溶剂为乙醇和/或丙二醇甲醚醋酸酯。

6.根据权利要求4所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板，其特征在于：所述氧化铝和氮化铝复合粉体中，氧化铝与氮化铝的质量比为1.5～2.5：1。

7.一种辐射散热的可绕折金属铝基复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：

S1：复合陶瓷绝缘材料的制备，将溶剂、氧化铝和氮化铝复合粉体、分散剂及偶联剂混合，球磨，得浆料；将所得浆料与改性硅氧烷预聚体混合后，加入所述流平剂混合，即得复合陶瓷绝缘材料a；

S2：辐射散热涂料的制备，将分散型纳米氧化铝铝溶胶、纳米氧化物、防沉剂、填料和颜料放入分散机，分散研磨得到原料b；然后将有机硅/环氧改性树脂与原料b混合，并采用纳米级卧式砂磨机砂磨，过滤后得到辐射散热涂料c；

S3：导电金属铜箔层-复合陶瓷绝缘保护层的制备，将复合陶瓷绝缘材料a和导电金属铜箔用流延设备流延处理，得到复合陶瓷-导电铜箔材料d；

S4：铝基板-辐射散热层的制备，将辐射散热涂料c喷涂在铝或铝合金表面，经烘干制备出铝基板-辐射散热层e；

S5：用热辊压机将复合陶瓷-导电铜箔材料d和铝基板-辐射散热层e进行压覆组合，得到金属铝基复合陶瓷基板f，将金属铝基复合陶瓷基板f经真空热压工艺压制，得到可绕折金属铝基复合陶瓷基板。

8.根据权利要求7所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于：

步骤S2中，原料b组分的粒度小于10μm；

步骤S3中，流延处理温度为160-180℃，复合陶瓷-导电铜箔材料d的厚度为80-150μm。

9.根据权利要求7所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤S4中，烘干温度为180-200℃。

10.根据权利要求7所述的可绕折金属铝基复合陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤S5中，压覆组合的温度大于90℃，且在真空度为-0.2～-0.8MPA的环境下热压覆。