[发明专利]高硅铝比Beta分子筛及其制备方法和催化裂化助剂及其应用

权利要求书

1.一种制备高硅铝比Beta分子筛的方法，该方法包括：

将硅铝比为10-30的Beta分子筛原粉与气相四氯化硅在气相超稳反应器(1)中接触反应，气相超稳反应器(1)设置有分子筛入口(2)、分子筛出口(3)、第一四氯化硅入口(4)、第二四氯化硅入口(5)和反应器管体(6)；第二四氯化硅入口(5)设置在第一四氯化硅入口(4)下游，且第二四氯化硅入口(5)与分子筛入口(2)的距离占反应器管体(6)长度的50-80％；

Beta分子筛原粉在不用载气输送的情况下，从气相超稳反应器(1)的分子筛入口(2)移动到气相超稳反应器的分子筛出口(3)；第一部分气相四氯化硅通过第一四氯化硅入口(4)引入气相超稳反应器(1)中，第二部分气相四氯化硅通过第二四氯化硅入口(5)引入气相超稳反应器(1)中；

引入气相超稳反应器(1)的第一部分气相四氯化硅和第二部分气相四氯化硅的总质量与Beta分子筛原粉的重量比为0.2-0.5：1；

第一部分气相四氯化硅与第二部分气相四氯化硅的质量比为1-4：1；

以所述Beta分子筛原粉的总量为基准，Beta分子筛原粉中，以氧化物计的钠含量为0-3重量％；

Beta分子筛原粉与气相四氯化硅在气相超稳反应器(1)中接触反应的温度为300-400℃，时间为10-120分钟。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一四氯化硅入口(4)邻近分子筛入口(2)设置，且设置在分子筛入口(2)的下游。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，第二四氯化硅入口(5)与分子筛入口(2)的距离占反应器管体(6)长度的50-65％。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一部分气相四氯化硅的温度高于第二部分气相四氯化硅的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，第一部分气相四氯化硅的温度较第二部分气相四氯化硅的温度高50-100℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，第一部分气相四氯化硅的温度为150-250℃，第二部分气相四氯化硅的温度为50-150℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，第一部分气相四氯化硅与第二部分气相四氯化硅的质量比为1-2：1。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其中，Beta分子筛原粉与气相四氯化硅在气相超稳反应器(1)中接触反应的温度为300-350℃，时间为30-90分钟。

9.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其中，Beta分子筛原粉的硅铝比为10-20。

10.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其中，Beta分子筛原粉的硅铝比为10-15。

11.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其中，Beta分子筛原粉通过重力和/或动力从分子筛入口(2)移动到分子筛出口(3)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，Beta分子筛原粉通过重力从分子筛入口(2)移动到分子筛出口(3)，分子筛入口(2)位置高于分子筛出口(3)位置；

所述反应器管体(6)轴线与水平面的夹角为30-90°。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述反应器管体(6)轴线与水平面的夹角为40-80°。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，Beta分子筛原粉通过动力从分子筛入口(2)移动到分子筛出口(3)。