[发明专利]阵列基板及其显示面板在审
申请号: | 201811179127.9 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109346483A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 吴川 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 亓赢 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属层 绝缘层 基板 线段 阵列基板 主动开关 保护层 浮接 电性耦接 显示面板 像素电极 显示区 驱动 影响显示品质 产品良率 静电释放 生产流程 光罩 申请 烧毁 涵盖 覆盖 配置 | ||
本申请提供一种阵列基板及其显示面板,阵列基板包括:基板,包括显示区,所述显示区配置多个主动开关与多个像素电极,所述多个像素电极电性耦接所述多个主动开关;多条驱动线段,设置于所述基板上,电性耦接所述多个主动开关,每一驱动线段包括:绝缘层,设置于所述基板上;保护层,设置于所述基板上,所述保护层覆盖所述绝缘层;金属层,设置于所述驱动线段的涵盖范围内,且所述金属层为浮接;其中,所述金属层设置于所述基板与所述绝缘层之间,以及所述绝缘层与所述保护层之间的至少其一部位。本申请通过浮接金属层,增加静电释放路径,即使浮接金属层烧毁,亦不会影响显示品质,较能提高产品良率。同时仅需调整光罩图形,故不需调整生产流程。
技术领域
本申请涉及显示领域,特别是涉及一种阵列基板及其显示面板。
背景技术
平板显示装置,其具有色域广、省电等众多优点,在各领域得到广泛应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display,LCD),有机发光二极管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)显示装置和量子点发光二极管(Quantum DotLight Emitting Diodes,QLED)显示装置。其中,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT),可形成在玻璃基板或塑料基板上,通常作为主动开关,是平板显示装置的重要组成部分之一。而随着发展,也对显示面板及显示装置提出了更多、更高的要求,如抗静电性能,部分产品由于灵敏度高,因而对主动开关等组件的抗静电性能的要求特别高。
在TFT的生产和制造过程中,会在阵列基板中镀上多个具有不同功能作用的膜层,而不同的膜层是在不同的机械设备和反应室中完成。一般而言,在镀膜和基板搬运的过程中,基板与其他媒介的接触会产生大量的静电荷,该些静电荷堆积于阵列基板上,当与传送设备接触时,会形成较大的电势差,进而将接触点附近的膜层击穿,严重影响平板显示面板或平板显示装置的质量。
发明内容
为了解决上述技术问题,本申请的目的在于,提供一种阵列基板及其显示面板,其通过增加驱动线路的浮接金属层,增加静电电荷的吸附释放路径,以提升显示面板的抗静电能力。
本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本申请提出的一种阵列基板,包括:基板,包括显示区,所述显示区配置多个主动开关与多个像素电极,所述多个像素电极电性耦接所述多个主动开关;多条驱动线段,设置于所述基板上,电性耦接所述多个主动开关,每一驱动线段包括:绝缘层,设置于所述基板上;保护层,设置于所述基板上,所述保护层覆盖所述绝缘层;金属层,设置于所述驱动线段的涵盖范围内,且所述金属层为浮接(floating,亦可称浮置);其中,所述金属层设置于所述基板与所述绝缘层之间,以及所述绝缘层与所述保护层之间的至少其一部位。
本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
在本申请的一实施例中,所述驱动线段包括源极线,所述绝缘层与所述保护层之间设置有有源层,所述金属层设置于所述绝缘层与所述基板之间。
在本申请的一实施例中,所述金属层为浮接栅极层或浮接电极层。
在本申请的一实施例中,所述驱动线段包括栅极线,所述源极线与所述栅极线交集处具有栅极层,所述栅极层设置于所述绝缘层与所述基板之间,所述金属层设置于邻近所述栅极层。
在本申请的一实施例中,所述驱动线段包括栅极线,所述绝缘层与所述基板之间设置有栅极层,所述金属层设置于所述绝缘层与所述保护层之间。
在本申请的一实施例中,所述金属层为浮接有源层或浮接电极层。
在本申请的一实施例中,所述驱动线段包括源极线,所述栅极线与所述源极线交集处具有有源层,所述有源层设置于所述绝缘层与所述保护层之间,所述金属层设置于相邻的两个所述有源层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的