[发明专利]阵列基板及其显示面板在审
申请号: | 201811179127.9 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109346483A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 吴川 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 亓赢 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属层 绝缘层 基板 线段 阵列基板 主动开关 保护层 浮接 电性耦接 显示面板 像素电极 显示区 驱动 影响显示品质 产品良率 静电释放 生产流程 光罩 申请 烧毁 涵盖 覆盖 配置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,包括显示区,所述显示区配置多个主动开关与多个像素电极,所述多个像素电极电性耦接所述多个主动开关;
多条驱动线段,设置于所述基板上,电性耦接所述多个主动开关,每一驱动线段包括:
绝缘层,设置于所述基板上;
保护层,设置于所述基板上,所述保护层覆盖所述绝缘层;
金属层,设置于所述驱动线段的涵盖范围内,且所述金属层为浮接;
其中,所述金属层设置于所述基板与所述绝缘层之间,以及所述绝缘层与所述保护层之间的至少其一部位。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动线段包括源极线,所述绝缘层与所述保护层之间设置有有源层,所述金属层设置于所述绝缘层与所述基板之间。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述金属层为浮接栅极层或浮接电极层。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动线段包括栅极线,所述源极线与所述栅极线交集处具有栅极层,所述栅极层设置于所述绝缘层与所述基板之间,所述金属层设置于邻近所述栅极层。
5.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括源极层与漏极层至少其一。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动线段包括栅极线,所述绝缘层与所述基板之间设置有栅极层,所述金属层设置于所述绝缘层与所述保护层之间。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述金属层为浮接有源层或浮接电极层。
8.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述驱动线段包括源极线,所述栅极线与所述源极线交集处具有有源层,所述有源层设置于所述绝缘层与所述保护层之间,所述金属层设置于相邻的两个所述有源层之间。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
对向基板,与所述阵列基板相对设置;
其中,所述阵列基板包括:
基板,包括显示区,所述显示区配置多个主动开关与多个像素电极,所述多个像素电极电性耦接所述多个主动开关;
多条驱动线段,设置于所述基板上,电性耦接所述多个主动开关,每一驱动线段包括:
绝缘层,设置于所述基板上;
保护层,设置于所述基板上,所述保护层覆盖所述绝缘层;
金属层,设置于所述驱动线段的涵盖范围内,且所述金属层为浮接;
其中,所述金属层设置于所述基板与所述绝缘层之间,以及所述绝缘层与所述保护层之间的至少其一部位。
10.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板,包括显示区,所述显示区配置多个主动开关与多个像素电极,所述多个像素电极电性耦接所述多个主动开关;
多条源极线,设置于所述基板上,电性耦接所述多个主动开关,每一源极线包括:
绝缘层,设置于所述基板上;
有源层,设置于所述绝缘层与所述保护层之间;
保护层,设置于所述基板上,所述保护层覆盖所述绝缘层及所述有源层;
多条栅极线,设置于所述基板上,电性耦接所述多个主动开关,每一栅极线包括:
栅极层,设置于所述基板上;
所述绝缘层,设置于所述栅极层上;
所述保护层,设置于所述基板上,所述保护层覆盖所述绝缘层;
金属层,设置于所述多条源极线及所述多条栅极线的涵盖范围内,且所述金属层为浮接;
其中,所述金属层包括浮接栅极层与浮接有源层;
所述浮接栅极层设置于所述源极线范围的所述基板与所述绝缘层之间,且邻近所述栅极层;
所述浮接有源层设置于所述栅极线范围的所述保护层与所述绝缘层之间,且位于相邻的两个所述有源层之间;
所述有源层包括源极层与漏极层至少其一;
所述金属层与相邻的所述栅极层之间间隔3微米至20微米;
所述金属层与相邻的所述有源层之间间隔3微米至20微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的