[发明专利]一种Flash器件擦写寿命测试系统装置有效
申请号: | 201811168610.7 | 申请日: | 2018-10-08 |
公开(公告)号: | CN109411009B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 李春;张晓敏;刘洪卫 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 flash 器件 擦写 寿命 测试 系统 装置 | ||
本发明公开了一种Flash器件擦写寿命测试系统装置,受试器件测试载板经测试控制显示电路板与PC机连接,直流稳压电源分别与受试器件测试载板和测试控制显示电路板连接;受试器件测试载板上设置有测试锁紧插座,受试Flash器件安装在测试锁紧插座上,测试控制显示板生成激励信号并发送给受试Flash器件,并接收受试Flash器件的反馈响应进行判断和显示,本发明可以实现Flash擦写疲劳和稳态寿命两种可靠性试验,方案实施的成本低。
技术领域
本发明属于集成电路质量可靠一致性测试技术领域,具体涉及一种Flash器件擦写寿命测试系统装置。
背景技术
Flash具有成本低、存储容量大、读写速度快等优点,在存储器领域中占有重要地位,按结构主要可以分为AND和NOR两大类。NOR Flash可以按位访问,具有读写速度高的特点,但其位成本较高不易大规模集成;NAND Flash作为性能和成本均衡的代表,具有其它存储器所不具备的优势,在军工领域获得广泛应用。随着Flash的存储密度不断增加,位成本降低的同时,其存储可靠性不断的降低如何确保Flash存储数据读出的正确性,逐渐成为关注的焦点之一。Flash是基于浮栅晶体管结构的非易失存储器,包含三种主要操作:擦除、写入和读取。
军工领域内应用的电子元器件,其鉴定和质量保证检验方法必须要遵循军用标准要求。根据《GJB548B微电子器件试验方法和程序》1005.1和1016规定,并结合自身功能特性,Flash器件的C组检验应进行擦写疲劳试验和稳态寿命试验。擦写疲劳试验要求Flash器件在-55℃和125℃温度下进行10000次的擦写循环;稳态寿命试验要求在125℃下对Flash器件进行1000小时的数据读出功能测试。
现有电子元器件的寿命试验是借助老炼箱进行,将受试电路放置于配套设计的老炼电路板上,通过控制老炼箱的激励源输出简单的测试激励信号,受试器件测试结果的正确与否通过相应的指示灯显示。老炼主要是用于加速缩短电子元器件的初始寿命,因而老炼箱能够输出的激励信号简单,难以提供Flash器件擦写操作的时序信号;不能实现存储类器件地址遍历读操作,借助老炼进行稳态寿命试验的测试覆盖性不全;并且老炼箱无法提供低温环境,因而无法借助老炼箱完成Flash器件的擦写疲劳寿命试验。Flash擦写疲劳试验和稳态寿命试验要求对器件进行的功能操作在常规的功能测试板上容易实现,如将测试电路板放入高低温箱进行试验,受试Flash器件和外围辅助测试电路位于同一块测试电路板上,在试验时受到同样的温度冲击,即使外围辅助电路质量等级达到军品级别,在进行完一轮次试验后的难以保证辅助电路的功能,造成测试电路板的不确定性。如采用将受试器件和辅助电路镜像放置在测试板的正反两面,使用气流罩进行温度控制的方式,可以降低辅助电路受到的温度冲击,确保测试电路板的功能;但擦写疲劳试验要求125℃高温和-55℃低温分别对受试器件进行连续累计达10000次的擦写操作,根据器件的擦写周期计算至少需要分别持续80小时,稳态寿命试验要求125℃高温持续1000小时,超出了目前气流罩允许连续运转的时间范围。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种Flash器件擦写寿命测试系统装置,完成Flash器件擦写疲劳试验和稳态寿命试验,根据受试Flash器件进行软件程序开发,输出完全符合受试器件的擦写激励信号,实时监控受试器件的工作状态,实现Flash全地址空间不同方式的擦写、写入和读出操作,受试器件和辅助测试电路物理上完全分离,只有受试器件受到试验要求得的高低温冲击,辅助测试电路不受高低温的影响,试验装置可靠性高,成本低,测试覆盖性全,试验结果可信度高。
本发明采用以下技术方案:
一种Flash器件擦写寿命测试系统装置,包括受试器件测试载板、测试控制显示电路板、直流稳压电源和PC机,受试器件测试载板经测试控制显示电路板与PC机连接,直流稳压电源分别与受试器件测试载板和测试控制显示电路板连接;
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