[发明专利]在柔性衬底表面制备F掺杂SnO2透明导电薄膜的方法

权利要求书

1.一种在柔性衬底表面制备F掺杂SnO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于所述制备方法的步骤是：

步骤一、先将55～90wt％的锡粉末、5～25wt％的二氧化锡粉末和5～20wt％的二氟化锡粉末混合，再于100～200MPa条件下压制成型，然后于压强1Pa和温度为190～210℃条件下烧结40～50h，制得靶材；

步骤二、先将所述靶材固定到磁控溅射系统的靶座上，再将清洗后的柔性衬底固定到衬底支架上，所述靶材与所述柔性衬底的距离为40～80mm；

步骤三、将所述磁控溅射系统的腔体抽真空至压强小于3×10^-3Pa，再通入Ar与O₂，通入的Ar与O₂的流量比为1∶(0.05～0.25)；然后在室温条件下采用偏压射频溅射技术，在柔性衬底表面制得F掺杂SnO₂透明导电薄膜；

溅射时，溅射气压为0.2～3Pa，溅射功率为15～75W，衬底负偏压为0～100V。

2.根据权利要求1所述的在柔性衬底表面制备F掺杂SnO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于所述锡粉末中Sn的含量大于99.9wt％，所述锡粉末的粒径100μm。

3.根据权利要求1所述的在柔性衬底表面制备F掺杂SnO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于所述二氧化锡粉末中SnO₂含量大于99.9wt％，所述二氧化锡粉末的粒径100μm。

4.根据权利要求1所述的在柔性衬底表面制备F掺杂SnO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于所述二氟化锡粉末中SnF₂含量大于99.9wt％，所述二氟化锡粉末的粒径100μm。

5.根据权利要求1所述的在柔性衬底表面制备F掺杂SnO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于所述通入的Ar与O₂的纯度大于99.99％。

6.根据权利要求1所述的在柔性衬底表面制备F掺杂SnO₂透明导电薄膜的方法，其特征在于所述柔性衬底的材质为超薄玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种。