[发明专利]阵列基板及其形成方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201811161374.6 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109378331B 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 张豪峰 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/00;H01L21/77
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 唐清凯
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 形成 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括功能膜层及覆盖于所述功能膜层的部分表面的金属材料;所述功能膜层覆盖有金属材料的区域具有对所述功能膜层未覆盖有金属材料的区域的预应力;

其中,所述功能膜层包括柔性衬底,所述柔性衬底包括第三区域和与第三区域相邻的第四区域;所述第三区域具有对所述第四区域的预应力,用于对抗所述阵列基板弯折时产生的弯折应力。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述功能膜层包括平坦化层,所述平坦化层包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域,所述第一区域具有通孔;所述第一区域具有对所述第二区域的预应力,用于对抗所述阵列基板弯折时产生的弯折应力;

所述金属材料包括阳极,所述阳极层叠于所述平坦化层的第一区域,且所述阳极填充所述通孔。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述金属材料包括TFT器件;所述TFT器件层叠于所述柔性衬底的第三区域;相邻TFT器件之间填充有绝缘材料;所述平坦化层层叠于所述TFT器件和所述绝缘材料上,且所述阳极通过所述通孔与所述TFT器件连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述功能膜层包括像素限定层,所述像素限定层包括第五区域和与第五区域相邻的第六区域,所述第五区域层叠于所述阳极上,所述第六区域层叠于所述平坦化层的第二区域上;所述第五区域具有对所述第六区域的预应力,用于对抗所述阵列基板弯折时产生的弯折应力。

5.一种阵列基板的形成方法,其特征在于,包括如下步骤:

在功能膜层的部分表面形成金属材料;

对所述功能膜层和所述金属材料进行加热;

对所述功能膜层和所述金属材料进行梯次降温,以使所述功能膜层覆盖有金属材料的区域具有对所述功能膜层未覆盖有金属材料的区域的预应力。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的形成方法,其特征在于,具体包括如下步骤:

形成一作为功能膜层的平坦化层,所述平坦化层包括具有通孔的第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域;

在所述平坦化层的第一区域上形成阳极,所述阳极填充所述通孔;

对所述平坦化层和所述阳极进行加热;

对所述平坦化层和所述阳极进行梯次降温,以使所述平坦化层的第一区域具有对第二区域的预应力。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述形成一平坦化层之前,还包括:

在作为功能膜层的柔性衬底上形成TFT器件和绝缘材料;所述柔性衬底包括第三区域和与所述第三区域相邻的第四区域;所述TFT器件层叠于所述第三区域,所述绝缘材料层叠于所述第四区域;

对所述柔性衬底、TFT器件和绝缘材料进行加热;

对所述柔性衬底、TFT器件和绝缘材料进行梯次降温,以使所述柔性衬底的第三区域具有对第四区域的预应力。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述对所述平坦化层和所述阳极进行梯次降温之后,还包括:

在所述平坦化层的第二区域上和所述阳极上形成作为功能膜层的像素限定层,所述像素限定层包括第五区域和第六区域,所述第五区域层叠于所述阳极上,所述第六区域层叠于所述平坦化层的第二区域上;

对所述阳极和所述像素限定层进行加热;

对所述阳极和所述像素限定层进行梯次降温,以使所述像素限定层的第五区域具有对第六区域的预应力。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一区域具有对所述第二区域的预拉应力;所述第三区域具有对所述第四区域的预张应力;所述第五区域具有对所述第六区域的预拉应力;或

所述第一区域具有对所述第二区域的预张应力;所述第三区域具有对所述第四区域的预拉应力;所述第五区域具有对所述第六区域的预张应力。

10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至4任意一项所述的阵列基板。

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