[发明专利]一种有机发光显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811158325.7 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109300956B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 张国峰 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 李春晖 |
地址: | 430014 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 显示装置 | ||
本公开提供了一种有机发光显示面板及显示装置,在晶体管阵列层位于非显示区处设置若干的凹陷,且凹陷距离其靠近显示区的边缘之间的距离为50μm‑500μm,以及,在平坦化层和像素定义层对应有凹陷处形成暴露该凹陷的镂空区,以通过凹陷的设置降低晶体管阵列层在该区域的表面高度,及通过镂空区的设置去除平坦化层和像素定义层在该区域的材料,以避免后续制作膜层结构时出现掩膜板划伤晶体管阵列层对应凹陷处的表面和划伤像素定义层对应镂空区处表面的情况,改善了有机发光显示面板由于划伤造成的封装膜层失效的情况。
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域,更为具体的说,涉及一种有机发光显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED))设备为自发光型显示设备,OLED设备包括多个有机发光器件,每一有机发光器件包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。其中,分别通过阴极和阳极实现对有机发光层的电子注入和空穴注入,通过空穴和电子在有机发光层中复合以产生激子,这些激子从激发态跃迁到基态,从而生成光。
作为自发光型显示设备,OLED设备不需要单独的光源,因此,OLED设备可以以低电压驱动,并且更易制作为轻薄化的外形;此外,OLED设备具有宽视角、高对比度和灵敏的响应速度等优势,故而OLED设备被广泛应用于多种领域,如智能移动终端、电视机、电脑、可折叠或可卷曲显示设备等。但是,现有的OLED设备经常出现封装失效的情况。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种有机发光显示面板及显示装置,有效的改善了现有的有机发光显示面板封装失效的情况。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:
一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板划分为显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述有机发光显示面板包括:
基底;
位于所述基底一表面上的晶体管阵列层;
以及,位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧依次叠加的平坦化层和像素定义层以及由所述像素定义层开口限定的发光器件;
其中,所述晶体管阵列层位于所述非显示区处包括若干凹陷,且任意所述凹陷距离其靠近的所述显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm,包括端点值,所述平坦化层和所述像素定义层均包括暴露所述凹陷的镂空区。
相应的,本申请实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述的有机发光显示面板。
相较于现有技术,本发明提供的技术方案至少具有以下优点:
本发明提供了一种有机发光显示面板及显示装置,在晶体管阵列层位于非显示区处设置若干的凹陷,且凹陷距离其靠近显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm,以及,在平坦化层和像素定义层对应有凹陷处形成暴露该凹陷的镂空区,以通过凹陷的设置降低晶体管阵列层在该区域的表面高度,及通过镂空区的设置去除平坦化层和像素定义层在该区域的材料,以避免后续制作膜层结构时出现掩膜板划伤晶体管阵列层对应凹陷处的表面和划伤像素定义层对应镂空区处表面的情况,改善了有机发光显示面板由于划伤造成的封装膜层失效的情况。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的俯视图;
图3为本申请实施例提供的一种公共掩膜板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的