[发明专利]一种有机发光显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811158325.7 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109300956B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 张国峰 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京允天律师事务所 11697 | 代理人: | 李春晖 |
地址: | 430014 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板划分为显示区和围绕所述显示区的非显示区,所述有机发光显示面板包括:
基底;
位于所述基底一表面上的晶体管阵列层;
以及,位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧依次叠加的平坦化层和像素定义层以及由所述像素定义层开口限定的发光器件;
其中,所述晶体管阵列层位于所述非显示区处包括若干凹陷,且任意所述凹陷距离其靠近的所述显示区的边缘之间的距离为50μm-500μm,包括端点值,所述平坦化层和所述像素定义层均包括暴露所述凹陷的镂空区;
还包括:位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧的导电层,所述导电层包括暴露所述凹陷的开孔。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述晶体管阵列层的无机绝缘层对应所述凹陷处设置为凹槽或镂空结构。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述凹陷被所述镂空区暴露的底面为第一无机层的表面;
所述第一无机层为所述无机绝缘层;
或者,有机发光显示面板还包括无机填充层,所述无机填充层填充在所述凹陷内,且所述无机填充层背离所述基底一侧的表面,低于其所在的凹陷背离所述基底一侧的顶面,其中,所述第一无机层为所述无机填充层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括:
位于所述发光器件背离所述基底一侧的薄膜封装层;
所述薄膜封装层包括至少一层无机封装层,所述无机封装层通过所述镂空区和/或所述开孔与所述第一无机层接触。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光器件包括:
位于所述晶体管阵列层背离所述基底一侧的阳极;
位于所述阳极背离所述基底一侧的发光层;
以及,位于所述发光层背离所述基底一侧的阴极;
其中,所述导电层包括与所述阳极同层同材料的第一电极层和/或所述阴极。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述阴极延伸至所述非显示区,在所述非显示区中,所述第一电极层与控制单元电连接,且所述阴极与所述第一电极层接触连接,所述阴极通过所述第一电极层与所述控制单元电连接。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述像素定义层包括环绕所述显示区的第一环形区域,所述像素定义层位于所述第一环形区域呈多个岛柱状。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述晶体管阵列层位于所述第一环形区域在所述晶体管阵列层的垂直投影处包括多个所述凹陷。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述像素定义层包括环绕所述显示区的第一环形延伸区域,所述第一环形延伸区域位于所述第一环形区域和所述显示区之间,其中,所述晶体管阵列层位于所述第一环形延伸区域在所述晶体管阵列层的垂直投影处包括多个所述凹陷。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板,其特征在于,位于所述第一环形延伸区域的所有所述凹陷连通且环绕所述显示区形成闭合环路。
11.根据权利要求7所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述有机发光显示面板包括环绕所述第一环形区域的挡墙,所述像素定义层包括环绕所述第一环形区域的第二环形延伸区域,所述第二环形延伸区域位于所述第一环形区域和所述挡墙之间,其中,所述晶体管阵列层位于所述第二环形延伸区域在所述晶体管阵列层的垂直投影处包括多个所述凹陷。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述凹陷的深度为50nm-5000nm,包括端点值。
13.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1~12任意一项所述的有机发光显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的