[发明专利]压接器件的封装结构及电流测试方法

说明书

本发明涉及压接器件技术领域，具体公开了一种压接器件的封装结构和电流测试方法，封装结构包括设置于电路板上的若干压接芯片，所述电路板的外围设置有若干错位过孔，导电线沿错位方向依次绕制于各所述错位过孔形成罗氏线圈。一方面，可以通过罗氏线圈对电路板上的压接芯片进行电流检测；另一方面，罗氏线圈相当于直接设置于电路板内部，减小了罗氏线圈所占用的空间，无需扩大整个压接器件的封装结构的尺寸，仍然能够保证压接器件整体的高功率密度。另外，由于罗氏线圈是直接设置于电路板内部的，因此无需对罗氏线圈进行装配，使用非常方便。

技术领域

本发明涉及压接器件技术领域，具体涉及一种压接器件的封装结构及电流测试方法。

背景技术

目前电力系统用大功率IGBT器件主要包括焊接型IGBT器件和压接型IGBT器件，其中，压接型IGBT器件因具有独特的短路失效模式特性、易于串联、结构紧凑等优点得到广泛应用。

但正是由于压接型IGBT器件内部空间紧凑，导致在其内部难以装设电流传感器以监控其运行状态。尤其是当压接型器件安装于变频器、功率单元等设备上时，只能监测其总电流，不能单独监测其内部各芯片的电流以评估其工作状态和使用寿命。

为了解决上述问题，现有技术中，在压接型IGBT器件的封装结构内部的凸台外套设罗氏线圈，通过罗氏线圈来采集芯片电流。但是这种方式无疑需要扩大整个器件的尺寸才能为罗氏线圈提供装配空间，这导致器件体积增大，并且易导致器件功率密度下降的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种压接器件的封装结构及电流测试方法，以解决现有技术中罗氏线圈的设置导致压接器件体积增大、功率密度下降的问题。

根据第一方面，本发明实施例提供了一种压接器件的封装结构，包括设置于电路板上的若干压接芯片，所述电路板的外围设置有若干错位过孔，导电线沿错位方向依次绕制于各所述错位过孔形成罗氏线圈。

可选地，所述若干错位过孔包括若干内圈过孔和若干外圈过孔，若干所述内圈过孔沿内圈均匀分布，若干所述外圈过孔沿外圈均匀分布；

所述导电线依次绕经所述电路板的第一表面、所述内圈过孔、所述电路板的第二表面以及所述外圈过孔，依此循环形成所述罗氏线圈。

可选地，所述电路板外围的厚度为1－2mm。

可选地，所述罗氏线圈的匝数不少于500匝。

可选地，所述罗氏线圈的输入输出端外接电流测试单元。

可选地，各所述压接芯片的驱动信号线均引出并连接控制端，且各所述驱动信号线上均串联有控制开关。

可选地，各所述压接芯片的驱动信号线上均串联一等值电阻。

可选地，所述电路板上设置有若干凸台，各所述压接芯片分别设置于各所述凸台上，所述凸台与所述压接芯片的驱动信号接收端电连接，所述驱动信号线由所述凸台直接引出。

根据第二方面，本发明实施例提供了一种压接器件的电流测试方法，包括以下步骤：

闭合需要进行电流测试的压接芯片所对应的驱动信号线上的控制开关，断开剩余压接芯片所对应的驱动信号线上的控制开关；

控制端发出驱动信号至所述驱动信号线；

通过电路板外围的罗氏线圈采集流经所述电路板的电流信号，其中，所述罗氏线圈设置于所述电路板内部。

本发明提供的技术方案具有以下优点：