[发明专利]半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极有效
| 申请号： | 201811151918.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109449135B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 唐新灵;赛朝阳;张朋;林仲康;王亮 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 封装 结构 电极 | ||
1.一种电极，其特征在于，用于半导体功率器件的封装结构，所述电极为多个，所述电极的电阻由内向外依次增大。
2.如权利要求1所述的电极，其特征在于，所述电极的尺寸由内向外依次减小。
3.如权利要求2所述的电极，其特征在于，所述多个电极包括一个中心区域电极阵列以及由内向外包围所述中心区域电极阵列多层外围电极阵列，所述电极尺寸由所述中心区域电极阵列向外围电极阵列逐层减小。
4.如权利要求3所述的电极，其特征在于，
所述中心区域电极阵列包括至少一个电极，所述中心区域电极阵列的电极尺寸与功率器件的尺寸相同。
5.如权利要求4所述的电极，其特征在于，
所述电极的尺寸由下式表示：
a＝a0e(x-D)/2d
其中，a为电极尺寸，a0为中心区域电极阵列的电极尺寸，x为电极中心到最外围电极中心的距离，D为最外围电极中心到中心区域电极阵列中电极中心的距离，d为电极的集肤效应的集肤深度。
6.如权利要求5所述的电极，其特征在于，所述电极为矩形凸台。
7.一种半导体功率器件的封装结构，其特征在于，包括：如权利要求1-6任意一项所述的电极。
8.如权利要求7所述的半导体功率器件的封装结构，其特征在于，所述功率器件封装结构为压接式封装结构。
9.如权利要求7或8所述的半导体功率器件的封装结构，其特征在于，所述功率器件包括：
功率二极管、晶闸管、功率双极型晶体管、垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管、横向扩散金属-氧化物场效应晶体管以及IGBT中的任意一种。
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