[发明专利]一种功率半导体器件封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件封装结构，其特征在于，包括：至少一个封装子模组，所述封装子模组包括：上垫片、功率芯片、下垫片、下框架和栅极探针，

所述功率芯片设置于所述下垫片上；

所述上垫片设置于所述功率芯片上；

所述上垫片的尺寸不小于所述下垫片的尺寸，且所述上垫片的尺寸与所述下垫片的尺寸的差异小于预设差值；

所述下框架设置于所述功率芯片和所述下垫片之间，所述下框架与所述功率芯片的终端区粘接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述上垫片和所述功率芯片用烧结的方式连接。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述下框架与所述功率芯片的终端区之间设置有粘接层，所述粘接层包括有机硅胶层、环氧胶层或聚酰亚胺胶层中的任意一种。

4.根据权利要求1－3中任一项所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述封装子模组还包括：底座，所述底座的顶部为卡扣形状，所述栅极探针的第一端固定于所述底座的定位通孔内，所述栅极探针的第二端连接于所述功率芯片中对应的端子。

5.根据权利要求4所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，所述封装子模组还包括：支撑片和上框架，所述支撑片设置于所述下垫片的下方，所述上框架设置于所述功率芯片和所述上垫片之间，所述支撑片、下垫片、下框架、功率芯片、上框架以及上垫片共同固定于所述底座上。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：

下盖板，设置有多个金属凸台，多个所述封装子模组固定设置于所述多个金属凸台上，所述金属凸台与所述支撑片接触。

7.根据权利要求6所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：

PCB板，设置于所述下盖板的上表面，与所述栅极探针连接。

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：

栅极引出，固定连接于所述PCB板上，通过所述栅极探针及所述PCB板将所述功率芯片的栅极引出至所述功率半导体封装结构的侧面。

9.根据权利要求6－8任一项所述的功率半导体器件封装结构，其特征在于，还包括：

上盖板，压接于多个所述封装子模组上，与所述下盖板之间绝缘连接。

10.一种功率半导体器件封装方法，其特征在于，包括：得到封装子模组，所述得到封装子模组的步骤包括：

将功率芯片的背面与上垫片以烧结的方式连接；

在下框架的接触部设置粘接层，与所述功率芯片的终端区粘接；

将下垫片设置于功率芯片和下框架的下方，所述上垫片的尺寸不小于所述下垫片的尺寸，且所述上垫片的尺寸与所述下垫片的尺寸的差异小于预设差值。

11.根据权利要求10所述的功率半导体器件封装方法，其特征在于，所述得到封装子模组的步骤还包括：依次将栅极探针、支撑片、所述下垫片、所述下框架、所述功率芯片、所述上垫片以及上框架设置于底座上。

12.根据权利要求11所述的功率半导体器件封装方法，其特征在于，所述得到封装子模组之后，还包括：

将PCB板设置于下盖板的上表面；

将一个或多个所述封装子模组设置于所述下盖板上；

所述PCB板与所述栅极探针连接；

将栅极引出与所述PCB板固定连接，通过所述栅极探针、PCB板及栅极引出将所述功率芯片的电极引出至所述功率器件封装结构的侧面；

将上盖板压接于所述一个或多个所述封装子模组上，所述上盖板与所述下盖板之间绝缘连接。