[发明专利]用于SONOS单元的灵敏放大器电路

说明书

本发明公开了一种用于SONOS单元的灵敏放大器电路，包括：三个PMOS晶体管、三个NMOS晶体管、一压控电流源、一电容、一反相器、一缓冲器和一钳位电位fd产生电路组成；fd产生电路由一电流源、两个NMOS晶体管、一电阻和一二极管；第一电流源的一端与电源电压端vpwr连接，另一端与第四NMOS晶体管的栅极、第五NMOS晶体管的栅极和漏极相连接并作为fd电位输出端；第五NMOS晶体管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与第一二极管的输入端连接，二极管的输出端接地；第四NMOS晶体管的漏极、源极和衬底接地。本发明还公开了一种用于所述灵敏放大器电路的钳位电位产生电路。本发明能够增加SONOS E单元低温的读裕量。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种用于SONOS（Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor 闪速存储器）单元的灵敏放大器（SA）电路。本发明还涉及一种用于所述灵敏放大器电路的钳位电位产生电路。

背景技术

传统的SA电路如图1所示，通过PMOS晶体管MP2管，经NMOS晶体管MN3对所选节点bl进行预充电，节点bl电位嵌位在反相器INV1的翻转点。当节点bl稳定在该翻转点电位，预充电结束后，SONOS E 单元会有大电流，SONOS P单元基本没有电流。单元电流经PMOS晶体管MP3镜像到PMOS晶体管MP1，参考电流Iref经NMOS晶体管MN2镜像到NMOS晶体管MN1。参考电流Iref的电流值取SONOS E 单元电流的一半。单元镜像电流Imirror同参考电流Iref相比较，如果读SONOS E单元大电流，则节点vd电位升高，输出dout=0；如果读SONOS P单元，节点vd电位下降，则输出dout=1。SONOS E 单元电流，有正温度系数，低温电流小，高温电流大。所述E单元指ERASE擦除后的单元，P单元指PROGRAM编程后的单元。用反相器INV1的翻转点钳位节点bl的电压，该电压没有很明显的温度系数，因此低温读出的SONOS E单元电流也会偏小，低温SONOS E单元的读裕量会偏小。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于SONOS单元的灵敏放大器电路，能够增加SONOS E单元低温的读余量；为此，本发明还要提供一种用于所述灵敏放大器电路的钳位电位产生电路。

为解决上述技术问题，本发明的用于SONOS 单元的灵敏放大器电路，包括：三个PMOS晶体管、三个NMOS晶体管、一压控电流源、一电容、一反相器、一缓冲器和一钳位电位fd产生电路；

第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管的源极与电源电压端vpwr相连接，第二PMOS晶体管的栅极输入预充电的反相信号preb，其的漏极与第三PMOS晶体管的栅极和漏极、第一PMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为vc；第三NMOS晶体管的的栅极与钳位电位fd电位产生电路的输出端相连接，其源极与第一压控电流源的正端和第一电容的一端相连接，该连接的节点记为b1，第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地GND；第一PMOS晶体管的漏极与第一反相器的输入端和第一NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为vd；第一NMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极和漏极与参考电流源lref的一端相连接，第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的的源极接地GND；第一反相器的输出端与第一缓冲器的输入端相连接，第一缓冲器的输出端作为电路的输出端dout。

所述钳位电位fd产生电路，包括：一电流源、两个NMOS晶体管、一电阻和一二极管；第一电流源的一端与电源电压端vpwr相连接，另一端与第四NMOS晶体管的栅极、第五NMOS晶体管的栅极和漏极相连接，其连接的节点作为钳位电位fd的输出端；第五NMOS晶体管的源极与第一电阻的一端相连接，第一电阻的另一端与第一二极管的输入端相连接，第一二极管的输出端接地GND；第四NMOS晶体管的漏极、源极和衬底接地GND。

采用本发明的用于SONOS单元的灵敏放大器电路，能够有效增加SONOS E单元低温的读裕量。