[发明专利]用于SONOS单元的灵敏放大器电路

权利要求书

1.一种用于SONOS 单元的灵敏放大器电路，包括：三个PMOS晶体管、三个NMOS晶体管、一压控电流源、一电容、一反相器、一缓冲器和一钳位电位fd产生电路；第一PMOS晶体管～第三PMOS晶体管的源极与电源电压端vpwr相连接，第二PMOS晶体管的栅极输入预充电的反相信号preb，其的漏极与第三PMOS晶体管的栅极和漏极、第一PMOS晶体管的栅极和第三NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为vc；第三NMOS晶体管的栅极与钳位电位fd电位产生电路的输出端相连接，其源极与第一压控电流源的正端和第一电容的一端相连接，该连接的节点记为b1，第一压控电流源的负端和第一电容的另一端接地GND；第一PMOS晶体管的漏极与第一反相器的输入端和第一NMOS晶体管的漏极相连接，其连接的节点记为vd；第一NMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极和漏极与参考电流源lref的一端相连接，第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的源极接地GND；第一反相器的输出端与第一缓冲器的输入端相连接，第一缓冲器的输出端作为电路的输出端dout；其特征在于：钳位电位fd产生电路，包括：一电流源、两个NMOS晶体管、一电阻和一二极管；第一电流源的一端与电源电压端vpwr相连接，另一端与第四NMOS晶体管的栅极、第五NMOS晶体管的栅极和漏极相连接，其连接的节点作为钳位电位fd的输出端；第五NMOS晶体管的源极与第一电阻的一端相连接，第一电阻的另一端与第一二极管的输入端相连接，第一二极管的输出端接地GND；第四NMOS晶体管的漏极、源极和衬底接地GND。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于：节点bl的电压为Vdio+IR+MN5vtn-MN3vtn，其中，Vdio为二极管的正向导通电压，IR为电阻上的压降，MN5vtn为第五NMOS晶体管阈值电压，MN3vtn为第三NMOS晶体管阈值电压，第五NMOS晶体管和第三NMOS晶体管为相同类型的N型晶体管，则节点bl的电压为Vdio+IR。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于： IR能提高节点bl的电压，进而使读电流增加。

4.如权利要求1或2所述的电路，其特征在于：根据需要，采用不同温度系数，或者没有温度系数的电阻。

5.如权利要求1所述的用于SONOS 单元的灵敏放大器电路的钳位电位产生电路，其特征在于，包括：一电流源、两个NMOS晶体管、一电阻和一二极管；第一电流源的一端与电源电压端vpwr相连接，另一端与第四NMOS晶体管的栅极、第五NMOS晶体管的栅极和漏极相连接，其连接的节点作为钳位电位fd的输出端；第五NMOS晶体管的源极与第一电阻的一端相连接，第一电阻的另一端与第一二极管的输入端相连接，第一二极管的输出端接地GND；第四NMOS晶体管的漏极、源极和衬底接地GND。