[发明专利]有机发光显示装置及其制备方法、制备支撑柱的掩膜板

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括：

基板，所述基板上具有像素限定层，所述像素限定层界定了若干像素区，若干像素区至少包括若干第一像素区、若干第二像素区、若干第三像素区；

位于所述像素限定层上的若干支撑柱，所述支撑柱位于第一像素区、第二像素区、第三像素区的交叉处；且1平方毫米所述基板上具有25～350个所述支撑柱；

位于所述基板上的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极、有机发光层和阴极。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于：所述支撑柱具有朝向所述基板的下底、与所述下底相对设置的上顶、连接所述上顶与所述下底的侧面；所述下底的面积不大于第一像素区、第二像素区、第三像素区的交叉处的面积，所述上顶的面积不大于所述下底的面积。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于：所述支撑柱的侧面与下底的倾斜角介于20°～80°之间。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于：第一像素区、第二像素区、第三像素区的宽度一致，第三像素区的长度是第一像素区的长度的两倍，第三像素区的长度是第二像素区的长度的两倍；第一像素区、第二像素区、第三像素区呈宽度方向对齐式且沿所述基板的一个方向交替排布，且一列的第一像素区和第二像素区的交界处与相邻一列的所述第三像素区相平齐，所述支撑柱位于第二像素区的角部处的交叉处。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的有机发光显示装置，其特征在于：若干支撑柱均匀地分布于所述基板上。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于：所述基板为TFT基板，所述TFT基板包括衬底、设于所述衬底上的若干薄膜晶体管。

7.一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

在基板上制备像素限定层，所述像素限定层界定了若干像素区，若干像素区包括若干第一像素区、若干第二像素区、若干第三像素区；

于第一像素区、第二像素区、第三像素区的交叉处形成支撑柱；且在1平方毫米的所述基板上形成25～350个所述支撑柱；

于所述基板上制备有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极、有机发光层和阴极。

8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于：在所述基板上均匀分布的若干交叉处上制备所述支撑柱。

9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于：第一像素区、第二像素区、第三像素区的宽度一致，第三像素区的长度是第一像素区的长度的两倍，第三像素区的长度是第二像素区的长度的两倍；第一像素区、第二像素区、第三像素区呈宽度方向对齐式且沿所述基板的一个方向交替排布，且一列的第一像素区和第二像素区的交界处与相邻一列的所述第三像素区相平齐，于第二像素区的角部处的交叉处形成所述支撑柱。

10.根据权利要求7或8或9所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于：所述支撑柱具有朝向所述基板的下底、与所述下底相对设置的上顶、连接所述上顶与所述下底的侧面；所述下底的面积不大于第一像素区、第二像素区、第三像素区的交叉处的面积，所述上顶的面积不大于所述下底的面积。

11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于：所述支撑柱的侧面与下底的倾斜角介于20°～80°之间。

12.根据权利要求7所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于：所述基板为TFT基板，所述TFT基板包括衬底、设于所述衬底上的若干薄膜晶体管。