[发明专利]提纯三氯氢硅的方法有效
| 申请号： | 201811141132.0 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN108946743B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 刘见华;万烨;赵雄;严大洲;赵宇;常欣 | 申请（专利权）人： | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;金田蕴 |
| 地址： | 471023 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提纯 三氯氢硅 方法 | ||
1.一种提纯三氯氢硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，将三氯氢硅原料与氯气和氧气在光源催化下进行反应，得到的反应产物；
S2，对所述反应产物进行精密过滤，将所述反应产物中的固体和反应液体产物分离；以及
S3，将所述反应液体产物输入精馏塔脱除杂质、轻组分和重组分后得到三氯氢硅产品；所述S1在微通道连续流反应器中进行；
所述氯气的添加摩尔量为所述三氯氢硅原料中甲基氯硅烷摩尔量的2～50倍，所述氧气加入摩尔量为所述三氯氢硅原料中施主和受主杂质摩尔量的2～50倍；
所述精馏塔的塔顶压力为5kPa～200kPa，温度为33～68℃；
所述微通道连续流反应器配置有超声波清洗系统，所述超声波清洗系统包括直接对所述微通道连续流反应器的反应模块进行超声波清洗的部分和对所述三氯氢硅原料进行超声波处理的部分；
所述S2中精密过滤的过滤精度为0.003～2微米。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1中反应温度为20～60℃，压力为0.1MPa～2.0MPa。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S1中反应温度为35℃，压力为0.3MPa。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光源的有效光的波长对应氯气Cl-Cl键的吸收波长。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光源为低压汞灯、高压汞灯或氙气灯。
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