[发明专利]一种超小型微处理器的封装方法

权利要求书

1.一种超小型微处理器的封装方法，在引线框架上将芯片封装成超小型微处理器，其中，所述引线框架包括管脚和芯片贴区，所述芯片上设有焊区；

包括以下步骤：

晶圆研磨：将晶圆进行研磨并通过蓝膜粘贴在晶圆框架上；

晶圆切割：将粘贴在晶圆框架上的晶圆沿切割道进行切割，以便将晶圆切割成多个芯片；

贴片：将多个芯片分别贴装在引线框架上；

焊线：将引线焊接在芯片与引线框架的管脚之间，即对芯片进行焊线处理，以便使得引线连接芯片的焊区和引线框架的管脚之间，进而通过引线框架管脚连接内部和外部电路；

模封：将部分引线框架和焊线后的芯片用模封材料进行封装，以便防止芯片和引线受到外部物理和\或化学的影响；

切筋：将管脚之间的区域进行切割，使得管脚之间进行分离，即对焊接好的芯片进行切割；

测试：将完成切割的芯片进行测试；

标记：将完成测试的芯片进行标记；

成型分离；将完成标记的芯片从引线框架上分离并形成微处理器，之后，对该微处理器进行打包处理；

其特征在于，

在所述晶圆研磨步骤中，对所述晶圆的衬底进行研磨，以便降低所述晶圆的厚度；

在所述贴片步骤中，所述芯片贴装在所述芯片贴区的居中偏上部分；

所述焊线步骤中，所述引线焊接在所述芯片的焊区与所述引线框架的管脚之间，所述引线框架包括八个管脚，其中，所述引线框架的管脚包括第五管脚和第六管脚，所述第六管脚位于所述引线框架上侧中部偏右位置，具有左右两个焊接部，所述第五管脚位于所述第六管脚右侧；

所述芯片的第六焊区位于其右侧中部位置，所述芯片的第五焊区位于其右侧位置，并位于所述第六焊区下方；

所述引线包括第五引线和第六引线，所述第五引线焊接在所述芯片的第五焊区与所述引线框架的第五管脚之间，所述第六引线焊接在所述芯片的第六焊区与所述引线框架的第六管脚的左焊接部之间；

所述焊线步骤中，所述第五引线和第六引线均为J-Loop线型；

所述焊线步骤中，所述引线焊接在所述芯片的焊区A与所述引线框架的管脚C之间并形成线弧AC，所述线弧AC包括AB段线和BC段线，所述AB段线和所述BC段线相交于线弧点B，所述线弧AC的长度为h3，所述芯片的焊区A与所述线弧点B之间的AB段线长度大于1/3h3；

所述AB段线的延长线与所述BC段线之间的角度小于45°。

2.如权利要求1所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述晶圆切割步骤中，将所述晶圆进行研磨，以便降低所述晶圆的衬底厚度，使得所述晶圆的厚度范围为：190-230微米之间。

3.如权利要求2所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述晶圆切割步骤中，将所述晶圆进行研磨，以便降低所述晶圆的衬底厚度，使得所述晶圆的厚度范围为：200-220微米之间。

4.如权利要求1所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述焊线步骤中，不同所述引线之间的最小距离为h2，所述h2大于两倍引线直径。

5.如权利要求1所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述引线是金线、铜线或银线。

6.如权利要求1所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述线弧AC上设有线弧点E，所述线弧点E为所述线弧AC的顶点，所述线弧点E与所述引线框架上表面之间的距离为h4，所述h4大于120微米；

所述线弧点B为所述线弧AC的折点。

7.如权利要求1所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述焊线步骤中，所述芯片的相邻的两个焊区中心点之间的距离为h5，所述h5大于80微米。

8.如权利要求1所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述标记步骤中，所述引线框架上设有序号，将完成测试的芯片分成坏产品和好产品，在所述坏产品表面标记所述序号，在所述好产品表面标记正常信息，所述正常信息代表所述芯片为合格产品。

9.如权利要求1所述的超小型微处理器的封装方法，其特征在于，所述芯片用银胶贴装在所述芯片贴区的居中偏上部分。