[发明专利]IV曲线测试仪扫描方法

说明书

本发明公开了一种IV曲线测试仪扫描方法，包括以下步骤。步骤S1：太阳光模拟发生装置生成模拟自然光。步骤S2：光谱测量装置检测并且输出实时光谱数据。步骤S3：IV曲线数据采集装置获取待质检硅片实时IV曲线数据。步骤S4：IV曲线数据修正装置修正实时IV曲线数据。步骤S5：IV曲线数据判断装置判断待质检硅片的校正IV曲线数据是否符合标准IV曲线数据的误差范围。本发明公开的IV曲线测试仪扫描方法，通过巧妙设置太阳光模拟发生装置等功能模块，将实时IV曲线数据修正为校正IV曲线数据，以便根据标准IV曲线数据判断待质检硅片是否合格。

技术领域

本发明属于硅片制备技术领域，具体涉及一种IV曲线测试仪扫描方法。

背景技术

在制备硅晶片时，原料硅片需经历上料、水洗、下料、甩干等一系列工序。值得注意的是，为确保硅晶片制备精度和制备质量，原料硅片从上料开始，需严格根据各工序的工艺参数等相关规定执行。然而，在生产实践中发现，现有的IV曲线测试方法存在缺陷，例如测试结果与环境温度等测试条件关联性较高、测试条件难以满足标准的测试规范等。

发明内容

本发明针对现有技术的状况，克服上述缺陷，提供一种IV曲线测试仪扫描方法。

本发明采用以下技术方案，所述IV曲线测试仪扫描方法包括以下步骤：

步骤S1：太阳光模拟发生装置生成供待质检硅片响应输出实时IV曲线数据的模拟自然光；

步骤S2：光谱测量装置检测并且输出模拟自然光的实时光谱数据；

步骤S3：IV曲线数据采集装置获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时IV曲线数据；

步骤S4：IV曲线数据修正装置根据预置的标准光谱数据将实时IV曲线数据修正为校正IV曲线数据；

步骤S5：IV曲线数据判断装置根据预置的标准IV曲线数据判断待质检硅片的校正IV曲线数据是否符合标准IV曲线数据的误差范围，如果符合误差范围则判断待质检硅片质检合格，否则判断待质检硅片之间不合格。

根据上述技术方案，上述实时IV曲线数据包括电流参数、电压参数和温度参数。

本发明专利申请还公开了用于实时上述IV曲线测试仪扫描方法的IV曲线测试仪，包括太阳光模拟发生装置、光谱测量装置、IV曲线数据采集装置和IV曲线数据修正装置，待质检硅片、所述太阳光模拟发生装置、光谱测量装置和IV曲线数据采集装置均位于测试室内部，其中：

所述太阳光模拟发生装置用于生成供待质检硅片响应输出实时IV曲线数据的模拟自然光；

所述光谱测量装置用于检测并且输出上述模拟自然光的实时光谱数据；

所述IV曲线数据采集装置与待质检硅片相连，所述IV曲线数据采集装置用于获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时IV曲线数据；

所述IV曲线数据修正装置预置有标准光谱数据，所述IV曲线数据修正装置根据标准光谱数据将上述实时IV曲线数据修正为校正IV曲线数据。

根据上述技术方案，，所述IV曲线测试仪还包括IV曲线数据判断装置，所述IV曲线数据判断装置预置有标准IV曲线数据，所述IV曲线数据判断装置根据上述标准IV曲线数据判断待质检硅片的校正IV曲线数据是否符合标准IV曲线数据的误差范围。

根据上述技术方案，所述IV曲线测试仪还包括硅片固定装置，所述硅片固定装置用于将待质检硅片固定于测试室的特定位置。

根据上述技术方案，所述IV曲线测试仪还包括硅片输送装置，所述硅片输送装置用于将待质检硅片移入测试室或者移出测试室。

根据上述技术方案，所述IV曲线数据采集装置包括电流采集模块、电压采集模块和温度采集模块。