[发明专利]IV曲线测试仪扫描方法在审
| 申请号： | 201811131572.8 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109192678A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张育 | 申请（专利权）人： | 嘉兴金瑞光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 程开生 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曲线数据 测试仪 硅片 质检 太阳光模拟 扫描 发生装置 校正 光谱测量装置 模拟自然光 修正 采集装置 判断装置 实时光谱 修正装置 输出 检测 | ||
1.一种IV曲线测试仪扫描方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：太阳光模拟发生装置生成供待质检硅片响应输出实时IV曲线数据的模拟自然光；
步骤S2：光谱测量装置检测并且输出模拟自然光的实时光谱数据；
步骤S3：IV曲线数据采集装置获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时IV曲线数据；
步骤S4：IV曲线数据修正装置根据预置的标准光谱数据将实时IV曲线数据修正为校正IV曲线数据；
步骤S5：IV曲线数据判断装置根据预置的标准IV曲线数据判断待质检硅片的校正IV曲线数据是否符合标准IV曲线数据的误差范围，如果符合误差范围则判断待质检硅片质检合格，否则判断待质检硅片之间不合格。
2.根据权利要求1的IV曲线测试仪扫描方法，其特征在于，上述实时IV曲线数据包括电流参数、电压参数和温度参数。
3.一种用于实施权利要求1或者2中任一权利要求所述的IV曲线测试仪扫描方法的IV曲线测试仪，其特征在于，包括太阳光模拟发生装置、光谱测量装置、IV曲线数据采集装置和IV曲线数据修正装置，待质检硅片、所述太阳光模拟发生装置、光谱测量装置和IV曲线数据采集装置均位于测试室内部，其中：
所述太阳光模拟发生装置用于生成供待质检硅片响应输出实时IV曲线数据的模拟自然光；
所述光谱测量装置用于检测并且输出上述模拟自然光的实时光谱数据；
所述IV曲线数据采集装置与待质检硅片相连，所述IV曲线数据采集装置用于获取待质检硅片在受到模拟自然光照射后的实时IV曲线数据；
所述IV曲线数据修正装置预置有标准光谱数据，所述IV曲线数据修正装置根据标准光谱数据将上述实时IV曲线数据修正为校正IV曲线数据。
4.根据权利要求3所述的IV曲线测试仪，其特征在于，所述IV曲线测试仪还包括IV曲线数据判断装置，所述IV曲线数据判断装置预置有标准IV曲线数据，所述IV曲线数据判断装置根据上述标准IV曲线数据判断待质检硅片的校正IV曲线数据是否符合标准IV曲线数据的误差范围。
5.根据权利要求3所述的IV曲线测试仪，其特征在于，所述IV曲线测试仪还包括硅片固定装置，所述硅片固定装置用于将待质检硅片固定于测试室的特定位置。
6.根据权利要求3所述的IV曲线测试仪，其特征在于，所述IV曲线测试仪还包括硅片输送装置，所述硅片输送装置用于将待质检硅片移入测试室或者移出测试室。
7.根据权利要求3所述的IV曲线测试仪，其特征在于，所述IV曲线数据采集装置包括电流采集模块、电压采集模块和温度采集模块。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
