[发明专利]平坦化工艺方法

权利要求书

1.一种平坦化工艺方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，多个栅极结构、隔离层和层间介质层，所述栅极结构间隔形成于所述半导体衬底上方，所述隔离层形成于所述栅极结构上方，所述层间介质层覆盖所述半导体衬底，所述栅极结构和所述隔离层；

除去部分所述层间介质层，以暴露部分所述隔离层；

采用第一平坦化工艺研磨所述隔离层和所述层间介质层，直至暴露出所述栅极结构，所述第一平坦化工艺对所述层间介质层、所述隔离层和所述栅极结构的研磨速率分别为v₁、v₂和v₃，v₁＞v₂＞v₃；和采用第二平坦化工艺研磨剩余的所述隔离层、所述层间介质层和暴露出的栅极结构，直至暴露出所有的所述栅极结构，且所有的所述栅极结构的顶部平齐。

2.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第一平坦化工艺的研磨液中包括酸性溶液和铈基粒子，或者包括带有正电荷的硅基粒子。

3.根据权利要求2所述的平坦化工艺方法，其特征在于，2:1≤v₁:v₂≤6:1。

4.根据权利要求3所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第一平坦化工艺对所述层间介质层的研磨速率范围为

5.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，5:1≤v₂:v₃≤15:1。

6.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第二平坦化工艺对所述层间介质层和对所述隔离层的研磨速率分别为f₁、f₂，f₁＜f₂。

7.根据权利要求6所述的平坦化工艺方法，其特征在于，1:10≤f₁:f₂≤1:6。

8.根据权利要求6所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第二平坦化工艺对所述栅极结构的研磨速率为f3，0.8≤f₂:f₃≤1.2。

9.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，还包括：形成位于所述隔离层上方的硬掩膜层，所述层间介质层覆盖所述硬掩膜层。

10.根据权利要求9所述的平坦化工艺方法，其特征在于，在除去部分所述层间介质层后，暴露所述隔离层前，还包括：

除去部分所述层间介质层，以暴露所述硬掩膜层；和

除去部分所述层间介质层和部分所述硬掩膜层，以暴露所述隔离层。

11.根据权利要求10所述的平坦化工艺方法，其特征在于，除去部分所述层间介质层或除去部分所述硬掩膜层的工艺方法包括刻蚀工艺或预研磨工艺。

12.根据权利要求11所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述预研磨工艺对所述层间介质层和所述硬掩膜层的研磨速率分别为w₁、w₂，20≤w₁:w₂≤80。

13.根据权利要求12所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述预研磨工艺对所述层间介质层的研磨速率范围为

14.根据权利要求1所述的平坦化工艺方法，其特征在于，所述第一平坦化工艺和所述第二平坦化工艺包括化学机械平坦化工艺。