[发明专利]多层电子组件及制造该多层电子组件的方法

权利要求书

1.一种多层电子组件，包括：

电容器主体，所述电容器主体包括彼此面对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并彼此面对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面并且连接到所述第三表面和所述第四表面并彼此面对的第五表面和第六表面，并且包括设置为分别通过所述第三表面和所述第四表面交替地暴露的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；

第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层包括氮化钛、钌、铂、铱和钛中的至少一种，分别设置在所述电容器主体的所述第三表面和所述第四表面上并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极；以及

第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和所述第二外电极分别形成在所述第一薄膜层和所述第二薄膜层上，

其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度大于或等于10nm且小于或等于60nm。

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一薄膜层或第二薄膜层的厚度偏差小于或等于10％。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的拐角与中央的厚度比为0.9或更大。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和第二外电极包括铜。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和第二外电极具有包括铜层、镍层和锡层的多层结构。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一外电极和第二外电极具有包括镍层和锡层的双层结构。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一薄膜层从所述电容器主体的所述第三表面延伸到所述第一表面的一部分、所述第二表面的一部分、所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分；并且

其中，所述第二薄膜层从所述电容器主体的所述第四表面延伸到所述第一表面的一部分、所述第二表面的一部分、所述第五表面的一部分和所述第六表面的一部分。

8.一种制造多层电子组件的方法，该方法包括：

使用薄膜原子层沉积工艺在电容器主体的外表面上涂覆包括氮化钛、钌、铂、铱和钛中的至少一种的材料以形成种子层并烧结所述种子层；

使用镀覆工艺在所述种子层的表面上形成导电层；

形成聚合物层以覆盖所述电容器主体的在长度方向上的相对的端部；

蚀刻所述导电层的没有被所述聚合物层覆盖的部分，以形成彼此分开的第一外电极和第二外电极；

去除形成在所述电容器主体的没有被所述第一外电极和所述第二外电极覆盖的部分上的所述种子层，以形成彼此分开的第一薄膜层和第二薄膜层；以及

去除所述聚合物层，

其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度小于或等于60nm。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的厚度偏差小于或等于10％。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一薄膜层或所述第二薄膜层的拐角与中央的厚度比为0.9或更大。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导电层包括铜。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导电层具有多层结构，所述多层结构包括按照镀覆铜、镍和锡的顺序形成的铜层、镍层和锡层。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导电层具有双层结构，所述双层结构包括按照镀覆镍和锡的顺序形成的镍层和锡层。