[发明专利]一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法在审

申请号：	201811119385.8	申请日：	2018-09-25
公开（公告）号：	CN109300777A	公开（公告）日：	2019-02-01
发明（设计）人：	马爱;贺贤汉;李传玉	申请（专利权）人：	上海申和热磁电子有限公司
主分类号：	H01L21/205	分类号：	H01L21/205;C30B29/06;C30B28/14
代理公司：	上海顺华专利代理有限责任公司 31203	代理人：	顾兰芳
地址：	200444 上海市宝***	国省代码：	上海;31
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摘要：
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【说明书】：

本发明涉及半导体加工技术领域。一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，化学气相沉积时，采用SiH₄在660～680℃的温度下进行热分解淀积。本专利通过提高硅烷分解的温度。由于沉积温度升高，多晶硅晶粒变大，晶粒间界变小，从而使硅片翘曲度变小。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及化学气相沉积方法。

背景技术

多晶硅薄膜被广泛运用于单晶硅片的吸杂，但多晶硅薄膜吸杂工艺的一个最主要的问题是多晶硅薄膜应力会引起硅片的翘曲，硅片翘曲影响半导体器件加工的各个工序，尤其影响光刻工艺中的对准步骤。翘曲的硅片导致硅片光刻过程的对准偏差，对准偏差严重降低了半导体器件的可能性，对于高集成度的半导体器件来说，即使轻微的翘曲，影响对准的准确性也是非常明显的。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，以解决上述至少一个技术问题。

本发明的技术方案是：一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于，化学气相沉积时，采用SiH₄在660～680℃的温度下进行热分解淀积。

本专利通过提高硅烷分解的温度。由于沉积温度升高，多晶硅晶粒变大，晶粒间界变小，从而使硅片翘曲度变小。优选为，SiH₄在670℃的温度下进行热分解淀积。

保护气N₂的流速为120cc/min。

SiH₄的流速为600cc/min。

成膜压力为35pa。本专利通过升温的同时，改变成膜压力，进而控制反应速率，进而保证成膜均匀性，以及成膜质量。

对化学气相沉积的工艺参数调整如下：

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