[发明专利]一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法

权利要求书

1.一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于，化学气相沉积时，采用SiH₄在660～680℃的温度下进行热分解淀积。

2.根据权利要求1所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：保护气N₂的流速为120cc/min。

3.根据权利要求2所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：SiH₄的流速为600cc/min。

4.根据权利要求3所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：成膜压力为35pa。

5.根据权利要求1所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：采用低压化学气相沉积立式炉进行化学气相沉积；

低压化学气相沉积立式炉包括反应腔体，所述反应腔体包括从内至外依次设置的石英外管、石英内管和硅舟，所述硅舟的中心线、所述石英内管的中心线与石英外管的中心线三者重合，所述石英外管的外围设有加热器。

6.根据权利要求5所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：所述硅舟通过一旋转驱动机构驱动硅舟旋转，硅舟的转速为1r/min。

7.根据权利要求6所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：硅舟经电机驱动，电机是一变频电机，所述变频电机的信号输入端连接一控制器，所述控制器的信号输入端连接一检测电机转速的编码器，所述编码器的转轴与所述变频电机的动力输出轴传动连接。

8.根据权利要求1所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：SiH₄通过一供气系统向硅片输送，供气系统包括一输气管，所述输气管伸入石英内管，使SiH₄从石英内管进入反应腔体；

所述供气系统还包括一排气管，所述排气管通过一波纹管接头与石英外管相连，使废气从石英外管排出反应腔体。

9.根据权利要求5所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：低压化学气相沉积立式炉包括机械传送系统，所述机械传送系统包括机械手与硅舟，机械手和硅舟表面覆盖SiC层。

10.根据权利要求5所述的一种改善硅片多晶硅薄膜翘曲的化学气相沉积方法，其特征在于：所述硅舟包括四根相互平行的支撑臂，四根支撑臂中的三根支撑臂上均匀分布有172个用于插入硅片的沟齿。